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该论文的工作就是在评述SiC材料特性,晶体制备技术的基础之上,对制备SiC外延薄膜CVD,MBE和溅射法等方面进行详细阐述,特别对射频溅射法在Si衬底上制备SiC薄膜的机理,薄膜的质量进行了研究.实验结果表明,利用射频溅射过程的初始阶段Ar<+>对衬底表面有腐蚀作用,在薄膜生长初期会形成空位缺陷.退火热处理对结晶状态没有明显影响,但是可以改善Si/SiC界面质量.