硅基底上小球光散射计算研究

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本文基于扩展边界条件法及矢量球谐函数的加法定理,通过严格求解 Maxwell方程得到散射传输矩阵,即 T 矩阵,针对半导体表面上球形粒子建立数理模型,通过对该模型的数学分析和计算机编程求解,来获得半导体表面上球形粒子的光散射特性,从而为工程师设计出灵敏而有效的诊断工具提供有力的理论依据。对于半导体表面上球形粒子的光散射问题,该模型是这样考虑的:入射场有两部分组成,一是直接作用到粒子的入射场,一是在半导体表面发生反射后再作用粒子的入射场;此外,粒子和半导体表面之间还存在相互作用场。散射场和入射场及相互作用场通过 T 矩阵联系起来。这样就得到一种解决半导体表面上球形粒子光散射问题的方法。最后,本文给出该模型的初步仿真计算结果。
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