随着科技的发展,超大规模集成电路技术的应用使得一大批新型结构的功率半导体器件应运而生,导致高压大电流半导体发生了质的变化。VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)功率器件即垂直导电金属氧化物半导体场效应晶体管。VDMOS功率器件是一种通过电压调控型的多数载流子器件,它的出现将微电子技术和电力电子技术两个领域技术很好的结合起来,成为在金属氧化物半导体集成电路(IC)工艺基础上兴起的大功率集成电路器件。VDMOS功率器件已经广泛应用在逆变器、电子开关、电子镇流器、电机调速、高保真音响、汽车电器以及开关电源等诸多领域。本文拟从反应气体流量、射频电源的功率、产品表面温度和产品与喷头之间的距离四个方面单因素探索每个工艺条件对产品钝化膜层质量所产生的影响,从中得出每个因素单方面最适宜生产产品的工艺参数。然后再通过正交实验,设计4因素5水平试样,将各个工艺参数的影响综合进行比较,从中得出最适合生产的工艺参数。经过试验,最后得出结论:1.反应气体流量的比例变化对于功率器件钝化膜层厚度及厚度偏差值的影响不明显,但是对折射率和内应力的影响较为显著。2.射频功率对于膜厚的影响较为显著,随着射频功率的增大,功率器件钝化膜层的折射率存在变小的趋势,钝化层内应力的绝对值也是不断增大,说明内应力越来越大。3.当硅片表面温度在350℃-400℃时,硅片温度的升高有助于化学气相沉积速率的提升,但是,随着温度的升高,钝化膜层的折射率有所上升,并且膜层内应力的绝对值也在逐渐变小,说明膜层内部的缺陷越来越小。4.随着硅片与喷头间的距离增大,膜层厚度的均匀性变差,其中心位置的膜层厚度偏厚,而其余位置的膜层厚度下降,膜厚的偏差值也逐渐变大。5.在650V高压VDMOS功率器件的表面制备4K?氮化硅钝化膜的最佳工艺参数组合为:反应气体流量比例为38:14,射频功率为350W,硅片表面的温度为390℃,硅片与喷头的距离为340mils。