由于钇铁石榴石(Y3Fe5O12,YIG)薄膜性能的好坏直接影响器件的性能,而薄膜的退火工艺对薄膜的磁性能有着很大的影响。因此,采用怎样的退火工艺来制备出性能优异的、满足薄膜器件要求的YIG薄膜是当前值得研究的问题。本文以射频磁控溅射法制备的YIG薄膜为研究对象。探究了两段退火工艺对YIG薄膜性能的影响。首先,利用射频磁控溅射法在Si基片上制备出不同厚度的YIG薄膜,然后探究分段退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究发现,当退火条件为T1=750oC,T2=500oC,保温时间t1和t2为3小时时,能成功在Si基片上制备出厚度为203nm表面无裂纹且饱和磁化强度为127emu/cm3,铁磁共振线宽为67Oe的YIG薄膜。其次,利用射频磁控溅射法在GGG基片上制备出不同厚度的YIG薄膜,然后探究分段退火条件对YIG薄膜性能的影响。最终当制备条件为T1=750oC,T2=400oC,保温时间t1和t2为3小时时,成功制备出厚度为3.5μm表面无裂纹且饱和磁化强度为156emu/cm3的高质量的YIG薄膜。最后,利用间断沉积法,运用不同的制备模式在Si基片上制备了亚微米级YIG薄膜。分别探究了在150nm+150nm模式下和在200nm+200nm模式下,不同退火条件对YIG薄膜性能的影响。最终,当退火条件为T1=750oC,T2=500oC,保温时间t1和t2为3小时时,成功制备出厚度为300nm的无裂纹YIG薄膜且薄膜饱和磁化强度为135emu/cm3。