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因为符合节能、环保、无污染的绿色发展要求,白光LED成为了第四代照明光源。InGaN蓝光芯片与YAG:Ce3+黄色荧光粉组合实现的白光中缺少红光成分。白光LED大功率器件的发展趋势对红色荧光粉的热稳定性产生极大的考验。本研究通过高温固相法基于晶格畸变修复思想与荧光粉物理表面包膜技术,对离子掺杂与惰性料表面包覆两种不同方法提高荧光粉热稳定性进行了研究。本文还将荧光粉表面包膜技术首次应用于氮化物荧光粉,并初步探索了不同包覆材料对荧光粉的发光性能及热稳定性的影响进行了研究。随着Eu2+浓度和Ca2+离子在碱土金属比例中的增加,样品发射主峰发生红移现象,发光强度呈现先增强后减弱的变化。激活剂Eu2+浓度大于0.01 mo1%时发生浓度猝灭。当B、Si掺杂量不大于0.008 mol-mol-1时有利于提高样品相对亮度。单离子掺杂提高热衰退性能效果最好的是B,添加量为0.004 mol-mol-1;其次是Mg和Si,添加量分别是为0.010 mol-mol-1; 0.004 mol-mol-1。 Ga并没有起到提高热衰退性能的效果,但Ga的加入能够使发射峰发生蓝移。在提高温度猝灭的性能上效果最好的是Si,添加量是为0.010 mol-mol-1;B其次,添加量是0.004 mol-mol-1; Mg对提高温度猝灭的性能上效果并不明显。而Ga的添加使样品温度猝灭性能变得更差。Sr(o.79-x)LaxCao.2Al(1+X)Si(1-x)N3:0.01Eu2+系列样品,随着添加量x的增加,相对亮度下降较快,且对提高热衰退和温度猝灭性能效果不好。MgF2、SiO2、A12O3三种包膜材料包覆量为8wt%,包覆后均对荧光粉的色度坐标、发射光谱没有影响。与包膜原样相比,相对亮度顺序：MgF2>Sio2>包膜原样>A1203。说明MgF2、Sio2的包覆有利于提高样品相对亮度。三种材料对提高热衰退性能均有效果,MgF2>SiO2>Al2O3。但是A1203包膜由于严重降低了荧光粉的相对性能,所以效果并不明显。Si02与A1203包覆荧光粉对提高样品温度猝灭性能不明显,MgF2包覆荧光粉能够在一定程度上提高温度猝灭性能。氮化物红色荧光粉热稳定性能的提高有利于白光LED大功率器件的广泛发展和应用。