高分子阻尼材料制备及约束阻尼结构的设计

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阻尼是指系统损耗能量的能力,是衡量控制振动和噪音能力的重要手段。当前对阻尼减振的研究,一方面是研制高阻尼的材料,另一方面是设计减振结构。论文围绕宽温域高分子阻尼材料的制备、约束阻尼结构的设计展开研究。从聚氯乙烯(PVC)聚合度、硫化体系、炭黑种类、增塑剂邻苯二甲酸二辛酯(DOP)用量方面考察丁腈橡胶(NBR)/PVC互容体系的阻尼性能。通过调节组分比,NBR/PVC(70/30)体系损耗因子(tanδ)≥0.5的阻尼温域最宽(-16~34℃),非常适用于日常温度范围。在此基础上,考察NBR/PVC/AO-80三元共混体系,该体系只出现一个转变峰。相比NBR/PVC体系,损耗因子峰位置向高温移动,且tanδ峰值也大幅度提高。氯化丁基橡胶(CIIR)、NBR和AO-80三元共混体系可形成CIIR相和NBR/AO-80相。调整NBR量,材料阻尼性能发生很大变化:当CIIR为100份、AO-80为50份,NBR从20份增加到30份、100份时,NBR/AO-80相从分散相到部分连续、变到连续相,该相的阻尼性能提高;而CIIR的“液-液”转变(T11转变)随着NBR的增加而受到抑制,NBR为100份时己完全受到抑制。CIIR/NBR/AO-80/PSY四元共混体系,可形成CIIR/PSY相和NBR/AO-80相。PSY可以有效改善两相的阻尼性能,使CIIR的损耗因子峰向高温移动,且tanδ大大增加,NBR/AO-80相损耗因子峰位置不变,但能提高tanδ值;两损耗因子峰之间的阻尼性能也大大改善。CIIR/NBR/AO-80/PSY(100/20/50/35)和CIIR/NBR/AO-80/PSY(100/30/50/50)体系tanδ≥0.5的温域分别达98℃(-23℃~75℃)和105℃(-11℃~94℃),非常适合在室温或稍高温度下使用,是很好的高分子阻尼材料。通过Ansys有限元分析软件,利用模态应变能法的理论,计算约束阻尼结构的固有频率和结构损耗因子,并与文献解析计算结果做分析比较。结果表明,建立合适的模型,处理好单元问题,能达到比较高的计算精度,可用于约束阻尼结构固有频率和结构损耗因子计算。基于此,预测高分子阻尼层材料的参数(包括厚度、模量、泊松比)和约束层厚度变化对约束阻尼结构阻尼性能的影响规律,为高分子阻尼层材料的选择和约束阻尼结构的优化提供参考。结构损耗因子与阻尼材料的储能模量、该固有频率下的损耗因子关系密切。在所设计的结构中,选取铝材料做基层和约束层、七种高分子阻尼材料分别做阻尼层进行比较,CIIR/NBR/AO-80(100/20/50)体系做阻尼层的结构在10℃~50℃范围内,结构损耗因子保持在0.2以上。选取钢材料做基层和约束层、三种高分子阻尼材料分别做阻尼层进行比较,CIIR/NBR/AO-80/PSY(100/20/50/35)体系做阻尼层的结构在10℃~50℃范围内,结构损耗因子保持在0.3以上。
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