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目的:本研究旨在观察电针刺激对大脑中动脉栓塞再灌注模型大鼠脑组织神经生长因子(NGF)和神经营养因子受体p75(p75NTR)表达水平的影响,探讨电针是否具有促进神经轴突再生的积极作用,为治疗缺血性脑血管病的相关作用机制提供新的理论及实验依据。方法:将SD大鼠(健康雄性)30只随机分为2组:假手术组(6只)和模型复制组(24只)。参照Longa改良后的线栓法,对模型复制组实验大鼠进行大脑中动脉栓塞再灌注模型制作,对模型复制组实验大鼠造成脑缺血再灌注损伤。根据Longa的模型评价标准,对实验大鼠神经功能进行评分。造模成功的大鼠13只,死亡6只,失败5只。模型复制后模型复制成功的大鼠(13只)再随机分为缺血组7只(实验过程中死亡1只)和电针治疗组(6只),电针治疗组需对大鼠进行针刺“百会”、“印堂”、双侧“足三里”穴并予以电刺激,治疗期间假手术组和缺血组实验大鼠不做任何干预。连续电针干预2周,在电针末次干预24h后,对三组实验大鼠再进行一次神经功能评分,评分完成后对其进行Morris水迷宫实验检测,最后进行断髓处死所有大鼠,剥离出大鼠的脑缺血半暗带组织,并采用免疫印迹检测方法对所有大鼠脑缺血半暗带组织进行NGF及p75NTR蛋白表达水平的检测。结果:1.模型复制完成后,与假手术进行比较,模型复制组大鼠的神经功能评分有统计学意义(P<0.01)。治疗结束后,与假手术组进行比较,缺血组和电针治疗组大鼠的神经功能评分有统计学意义(P<0.01);与缺血组比较,电针治疗组大鼠的神经功能评分有统计学意义(P<0.01)。2.与假手术进行比较,缺血组和电针治疗组实验大鼠的逃避潜伏期均延长,经过平台次数减少,在目标象限的停留时间均缩短(P﹤0.05,P<0.01);与缺血组比较,电针治疗组实验大鼠的逃避潜伏期缩短,电针治疗组大鼠在经过平台次数显著增加,在目标象限的停留时间明显延长(P<0.01)。3.与假手术组比较,缺血组大鼠和电针治疗组大鼠的脑组织中NGF和p75NTR蛋白表达水平均显著升高(P<0.01);与缺血组比较,电针治疗组大鼠脑组织中的NGF蛋白表达水平显著升高,且p75NTR蛋白表达水平亦显著升高(P<0.01)。结论:1.电针百会、印堂、足三里穴能明显改善脑缺血再灌注损伤实验大鼠的神经功能缺损评分情况,对缺血的脑组织具有一定的保护和积极作用。2.电针百会、印堂、足三里穴能够使脑缺血再灌注损伤实验大鼠的学习记忆能力得到有效的提高。3.电针百会、印堂、足三里穴能促进脑缺血再灌注损伤实验大鼠NGF和p75NTR蛋白表达的上调,可能减轻脑缺血损伤,具有促使神经轴突再生的作用。