表面等离子体是一种被限制在金属-电介质界面传播的电磁波,它可以增强局部电磁场,突破光的衍射极限,在纳米量级上实现对光的操控。近十几年,贵金属的表面等离子体（SPs）为光与物质相互作用的各研究领域已带来无限的新可能和新发现:表面等离子体成像、光热疗法、增强荧光、辅助激光加工、增强LED或太阳能电池的光电转换效率等。然而,如何补偿表面等离子体由于欧姆损耗造成的能量损失问题,提高传输距离,仍是表面等离子体近场光学研究亟需解决的关键问题。人们尝试利用各种方式提高贵金属的表面等离子体的性能。自2004年石墨烯被分离出来后,许多二维材料陆续被人们发掘了出来,其中单层二硫化钼由于其天然的直接带隙而备受人们关注。随着研究的深入,人们发现二硫化钼与金属结合产生的复合材料拥有极为优异的光学与电学特性。据此,本论文主要研究了银纳米线/二硫化钼复合结构的表面等离子体应用,主要研究内容包括:（1）采用CVD法制备出了形貌较好的二硫化钼,并对其形貌和拉曼进行表征,分析并归纳了钼源与硫源的距离,硫粉的用量,压强,恒温反应时间等因素对二硫化钼生长的影响。此外,同样地用CVD法制备了二硫化钼/石墨烯异质结,对其进行了拉曼表征。（2）搭建了一条激光共聚焦显微光路,借助光路研究了银纳米线表面等离子体耦合量子点荧光的传输,对比了两种结构（银纳米线和银纳米线/二硫化钼复合结构）的表面等离子增强荧光和表面等离子体传输的区别。发现了复合结构显著增强了表面等离子增强荧光的强度,以及表面等离子体的传输距离。此外,还进一步研究了两种结构的表面等离子性能对入射光的偏振依赖关系。（3）制备了二硫化钼/石墨烯异质结的光电探测器,研究了探测器的光电性能,分析了光电响应机理。当源漏电压为-10 V,栅压为-5 V,功率为8 mW的532 nm激光器激发时,光电探测器响应度达到33.41 A/W,探测率达到1.35×10¹² Jones。