II-VI族半导体材料,如ZnO、ZnSe、CdS、ZnTe等,它们均为直接带隙半导体,禁带宽度覆盖紫外光到可见光区域,在光电探测、光伏以及发光器件方面均具有重要的应用。在纳米尺度范围内,pn结是构筑先进电子器件和光电子器件的基础。由于自补偿效应,完全采用CdS材料(禁带宽度为2.4eV)来制备pn结很难实现。因为CdS半导体材料的p型掺杂非常困难。研究表明热力学平衡时CdS仅存在n型导电。ZnTe(禁带宽度为2.26eV)也是II-VI族半导体材料,它是一种p型的具有高透光率且化学性质稳定的半导体材料。二者的结合为解决CdS单极性导电难以构筑pn结提供了新的思路。纳米pn结具有多种结构形式,其中核壳结构由于其高纵横比尤为引人注目。迄今为止,有多种合成方法成功合成了核壳pn结,如选区金属有机气相外延,化学气相沉积,水热法和原子层沉积法等。而且这些核壳结构的pn结光电器件均展现了很好的性能,特别是在光电探测方面。但核壳结构pn结不同部分的可控掺杂,以及其光电性能的研究还很匮乏。本论文研究的主要内容是通过两步化学气相沉积法,分别合成Ga掺杂的CdS纳米线核和Sb掺杂的ZnTe薄膜壳层,构建核壳pn结,并利用三次光刻技术制备核壳pn结光电二极管,研究其光电性能。合成的CdS:Ga纳米线为单晶结构,生长方向为[100],其吸收峰在520 nm。包裹ZnTe:Sb多晶壳层之后吸收峰发生红移,移动到580 nm,这显示核壳结构的形成使其对光的吸收范围变的更宽。由核壳pn结构建的光电二极管对638 nm(光功率2mWcm-2)的响应度和探测率分别是1.55×103 AW-1,8.7×1012 cmHz1/2W-1。相比同种材料或结构的响应度和探测率,CdS:Ga/ZnTe:Sb核壳纳米结构构筑的pn结在响应度和探测率上表现出更优异的性能。