ZnO纳米线由于具有宽直接带隙(～3.4 eV),大激子结合能(～60 meV),强激子振荡强度(Rabi劈裂能～200 meV),高结晶质量和高度对称的六棱柱形状等优点,被认为是优秀的短波长光电子材料,并且有望能用于制备光子学和(光)电器件如谐振腔、波导管、发光二极管、激光器等。在上述应用中,ZnO纳米线形貌和性能的优劣将起到至关重要的作用。因此实现对ZnO形貌尺寸和性能的调控,不仅可以有助于提升其未来的应用发展,同时也是一个巨大的挑战。在此背景下,我们针对ZnO形貌尺寸调控、带边荧光辐射增强和CVD生长中ZnO纳米线的生长机理等方向展开研究。本论文主要内容如下:在第一章中,我们首先介绍了 ZnO纳米材料制备和生长机理的基本知识。随后,我们介绍和总结了 ZnO纳米材料的掺杂方法、形貌和性能调控等领域的研究现状。最后,我们论述了本论文研究的科学意义和主要内容。在第二章中,我们发展一种在一次生长ZnO纳米线的表面包裹少层TiOx再生长的策略,成功实现了 ZnO纳米线径向生长速率两个数量级的提升。研究发现Ti元素在生长过程中,一直"浮"在生长的前端(纳米线的外表面),而非掺杂在纳米线的内部。这种Ti元素独特的"浮"式调控生长的行为,确保了包裹再生长纳米线仍具有优异的光学与电学性能:其室温和低温(83K)带边发光强度比参照的常规纳米线样品分别提升约5倍和10倍;而其电导率(～104 S/m)和载流子浓度(～1019cm-3)均比参照样品提高1个数量级。此外,我们还研究分析了对应生长过程的可能机理,提出了一种基于Ti-Zn离子交换反应的生长图像。在第三章中,我们通过ALD方法,在ZnO纳米线的表面包裹了少层AlxOy薄膜,然后进行再生长,该方法能成功制备界面△-铝掺杂的ZnO纳米线。不同于以往重掺杂ZnO纳米线带边荧光辐射退化的现象,该界面△掺杂纳米线的室温带边发光强度,比参照的一次生长纳米线样品大20倍以上,其可见荧光发射却减弱6倍。我们的研究表明:界面Al掺杂纳米线的带边荧光增强,主要归因于非辐射复合过程的抑制和辐射复合过程的增强。同时系统的实验测量和模拟计算分析进一步阐明:界面掺杂纳米线中非辐射过程的抑制,源于样品中高载流子浓度屏蔽了晶格热振动对激子的非辐射弛豫的影响,而辐射过程的增强则源于低折射率Al掺杂界面层的光场局域增强效应。在第四章中,我们发现了通过提高生长前载气中O2浓度,能生长分节的ZnO纳米线的现象。根据实验观测结果和Zn核自催化生长理论,我们提出了一种能够理解该现象的可能生长图像。随后,结合实验设计和相关的成核理论,我们成功解释了延长源反应稳定时间对纳米线径向尺寸和成核密度的调控现象。此外,我们通过纳米线轴向生长输运模型,对纳米线径向尺寸和轴向长度之间的关系进行了合理的解释。最后,采用第一性原理泛函密度法,我们计算了 Ti和Al掺杂的替位能量差和掺杂后的ZnO表面能,并以此结果解释了表面修饰的少层TiOx和AlxOy在再生长中不同的生长调控和掺杂行为。在第五章中,我们对ZnO纳米材料的后续研究工作进行了展望,并提出了相应的建议。