太阳能是一种储量巨大的可再生清洁能源，已成为人们研究的重点，也是今后能源发展的主要方向。太阳电池是直接把太阳能转化成电能的装置，是光伏系统的核心，其产量也得到快速发展。但是，与传统电能相比，太阳能存在发电成本高的问题，要解决这一问题，关键是降低太阳电池的生产成本和提高电池的光电转换效率。　　CuInS2是直接能隙的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体化合物材料，禁带宽度为1.50 eV，光吸收系数达105cm-1数量级，光电转换效率的理论值超过30％，化学稳定性好、光致衰减小、抗辐射性强，是一种理想的太阳电池材料。电沉积法制备CuInS2薄膜不需要高真空环境，而且具有可大面积制备、能源消耗少、生产效率高、系统稳定性好等特点：喷雾热解法也是一种非真空薄膜制备技术，设备投资少、原料利用率高、薄膜生长速度快。从降低薄膜的制备成本方面考虑，这两种方法都具有广阔的应用前景。　　基于以上所述，论文主要在电沉积法和喷雾热解法制备CulnS2薄膜等方面展开研究，并取得了一些研究成果。　　介绍了单步电沉积法在钼基底上制备CulnS2薄膜的过程，研究了沉积电位、pH、反应物浓度、退火温度等工艺参数对CulnS2薄膜的影响，并确定了制备高质量CuInS2薄膜的最佳条件；制备的CuInS2薄膜均匀致密，符合化学计量比，禁带宽度为1.41 eV；通过控制实验条件，可获得导电类型不同的半导体薄膜。此外，沉积电位为-1.1 V时，利用两步电沉积法在钼基底上制备得到单一黄铜矿相的CuInS2晶体，但薄膜的致密平整性不如单步电沉积法。分析表明，热处理过程中，前驱物以及是否有硫分子的介入，导致两种方法制备得到不同性能的薄膜。　　大气环境下，分别利用压力雾化和静电雾化喷雾热解法制备得到黄铜矿结构的CuInS2晶体，薄膜致密平整，测得其禁带宽度为1.45 eV。研究了基底温度、Cu/In原子比、退火温度对压力雾化喷雾热解法制备薄膜的性能的影响。初步探索了静电喷雾热解法制备CuInS2薄膜的技术，制备得到单一黄铜矿结构的CuInS2薄膜，致密均匀，晶粒在100 nm数量级。