非晶硅、多晶硅太阳能电池具有很高的性比价优势。本论文通过优化薄膜沉积的工艺参数，用磁控溅射技术制备硅薄膜，以期能够得到高质量的器件级硅薄膜材料。磁控溅射技术是一种简单、低温、快速的生长薄膜的方法，能够在不使用有毒气体和可燃性气体的情况下进行掺杂和沉积薄膜，用掺杂靶材直接用溅射法沉积成膜，这一方法节能、高效、环保。磁控溅射法与其它技术相比，它的最大优势在于薄膜的沉积速率快，成膜效率和经济效益太阳能电池行业是近些年发展的极其火热的一个朝阳产业。在硅系太阳能电池中，非常诱人，该技术有希望大幅度降低太阳能电池的成本。随着第三代太阳能电池，即薄膜太阳能电池研究的不断深入，制备高质量的多晶硅薄膜是提高多晶硅薄膜太阳能电池的光伏转换效率，这是从本质上解决问题的一个途径。本论文对高质量的多晶硅薄膜的制备方面做了一些探索性的工作，采用金属铝诱导的方法成功制备了质量较高的多晶硅薄膜。首先用射频磁控溅技术在玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜和铝薄膜，然后在Ar气氛中对样品进行退火处理，最后通过原子力显微镜和X射线仪对退火前后的磁控溅射法制备的硅薄膜进行了分析。