同为直接宽禁带半导体材料,ZnO比GaN有激子结合能是其两倍多Zn源在自然界中储量丰富、价格便宜、环境友好、抗辐射性能强等优势。在本征状态下ZnO呈n型电导,其p型电导转变的实现较困难,这也是限制ZnO器件应用的瓶颈。目前,对于ZnO的p型研究还有许多问题没有解决,p型ZnO薄膜相关的器件性能研究是其中很重要的部分。本文制备了一系列的Na掺杂p型ZnMgO薄膜材料,并进一步研究Na掺杂p型ZnMgO薄膜相关的半导体器件方面的性能。透明导电薄膜作为透明电极在光电器件中有着广泛的应用。氧化锌基透明导电薄膜相对于目前被广泛应用的氧化铟基透明导电薄膜(比如ITO)有着成本低,分布广泛,无毒性等优点。目前研究都证实了Ga对于ZnO的n型掺杂是一种良好的施主掺杂元素,因为Ga在替代位时对ZnO的晶格尺寸的改变较小且Ga的活性较弱,Ga掺杂时可获得更高的载流子浓度。薄膜表面性能是除了电学性能和光学透射率以外对光电器件很关键的因素,本文利用氧等离子体处理的方法来改进Ga掺杂ZnO薄膜的表面性质。本文主要工作包括以下内容：1)首先本文用PLD方法制备了一系列的Na掺杂ZnMgO薄膜材料,从各项性能分析看,薄膜晶体质量良好,XRD分析表明Mg在薄膜中是处于Zn的晶格位置,Hall测试显示薄膜具有p型导电性,且具有较好的光学性能,为接下来进一步研究薄膜的相关半导体器件方面的性能奠定了基础。2)因为霍尔效应本身的原理局限,本文利用p型场效应晶体管来进一步验证Na掺杂ZnMgO薄膜的p型导电性,实验制备了基于此薄膜的p沟道耗尽型场效应晶体管,电学性能的测试表明薄膜是p型导电的,沟道的载流子迁移率大约是2.3cm2V-1S-1,且经过365nm紫外光照射以后,薄膜仍然是p型导电的。3)本文就退火温度对Na掺杂p型ZnMgO薄膜的表面形貌、晶体质量、光电性能等方面影响进行分析,找到了一个很宽的温度窗口用来退火实现较好性能的p型薄膜,因为快速退火在制造LED中实现p型欧姆接触是很关键的步骤,所以研究有很强的现实意义和重要性。4)因为在光电器件的制造和使用过程中光照几乎是不可避免的,所以光电流特性很重要。Na掺杂p型ZnMgO薄膜在红色激光照射后出现光电流是由于缺陷和表面态的存在。在照射光发光功率相同的情况下,紫外光波长越短,薄膜的光电流变化越显著,载流子复合几率越小,随着照射光波长的增加,薄膜在制作光电器件时有相对比较稳定的性质。5)本文通过在Na掺杂p型ZnMgO薄膜上沉积Ni/Pt多层膜的电极制备方式,对比通常采用的Ni/Pt单层膜,得到Ni/Pt多层膜形成欧姆接触的比接触电阻率比Ni/Pt单层膜的要低,提供了一种获得更低比接触电阻率的欧姆接触的方式。6)本文采用氧等离子体处理的方法来改进Ga掺杂ZnO薄膜的表面性能,处理后薄膜表面的功函数增大,因为费米能级降低和电离势偏移的共同作用。处理后薄膜表面的静态接触角减小,表面能增加,而透射率没有降低。