【摘 要】
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要同时保证PTC材料和元件具有低电阻率和高性能,有较大难度.该文从原材料的选择、组成的优化和制作工艺的调控等方面研究了制作低阻高性能PTC材料的可行性.研究表明:纯度高,
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要同时保证PTC材料和元件具有低电阻率和高性能,有较大难度.该文从原材料的选择、组成的优化和制作工艺的调控等方面研究了制作低阻高性能PTC材料的可行性.研究表明:纯度高,团聚较少的钛酸钡粉体,制作出的PTC陶恣具有较佳的综合电性能.该文对烧结助剂SiO<,2>和Si<,3>N<,4>降低PTC材料对组成和工艺的敏感性,促进材料低阻化、高性能化的作用和机理进行了分析,并作了对比.初步研究表明:在研制低阻高性能PTC材料时,添加Si<,3>N<,4>比添加SiO<,2>具有更多的优越性.该文研究了Y、Mn不同添加量对BaTiO<,3>系统PTC陶瓷的室温电阻率ρ<,25>和显微结构的影响,从PTC半导瓷的施受主相互补偿的角度,进一步探讨了研制低阻高性能PTC材料的途径.
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