关于两带简并能隙超导体SrPt3P的理论研究

来源 :华北电力大学(北京) 华北电力大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bloodt
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
自从2001年临界温度高达39K的超导体二硼化镁被发现以来,科学家对其做了大量的理论和实验研究。二硼化镁的超导电性来源于传统的电声耦合机制,并且其电子能带结构也已经广为人知。它的费米面由两个三维的π带和两个二维的σ带组成,这两个能带的显著差异导致其拥有两带超导电性的特征。之后这一结果被比热、扫描隧穿谱和拉曼谱等一系列的实验所广泛证实。我们通过两带各向同性的Ginzburg-Landau(GL)理论研究了两带简并能隙超导体SrPt3P的电磁性质。得到了其上临界磁场和伦敦穿透深度随温度变化的精确解,计算结果和实验数据在较大的温区范围内吻合,这直接表明SrPt3P是在两个不同费米面上具有相同能隙的两带超导体。之后我们又用相似的方法对非中心对称超导体LaNiC2的上临界磁场和伦敦穿透深度以及中心对称超导体CsNi2Se2的上临界磁场进行了分析。并将所得的理论结果与实验数据进行了对比,两者符合得极好,充分说明了这两种镍基材料CsNi2Se2和LaNiC2的两能隙超导特征。
其他文献
本刊讯中国传媒大学电视学院新媒体编辑教研室主任顾洁的新作《You Tube用户能动性:媒介实践论的角度》日前出版。本书是作者在澳大利亚国立大学五年新媒体博士研究成果的基
学位
光纤折射率传感器因其具有体积小、质量轻、抗干扰能力强、便于实时监测和远程测量等优点,在环境监测、医疗及化学分析等领域有着广泛的应用前景。为了实现高精度、低成本的液
随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限,具有高迁移,且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表面本征氧化层稳定性差,采用高介电常数(高k)