反向开关晶体管（Reversely Switched Dynistor, RSD）是一种新型大功率超高速半导体开关，具有正向耐压高、通流能力强、换流速度快、工作寿命长和重复频率高等特点，在高电压大电流脉冲功率领域有很好的应用前景。RSD的开通过程包括反向预充和正向导通，正向导通时RSD的电压会出现一个短时的尖峰，称之为开通电压峰值。开通电压峰值是RSD的一项十分重要的参数，降低开通电压峰值有利于减小RSD功率损耗，这对于降低器件工作温升、延长RSD使用寿命以及推广器件的应用具有重要意义。以前的实验研究发现，在一定范围内，对应于一定的预充时间，预充电流越大，预充电荷量越大，RSD开通电压峰值越小。本文在此基础上，研究了对应于一定的预充电荷量，不同的预充时间对RSD开通电压峰值的影响。首先从功率半导体器件物理和RSD可控等离子层换流原理出发导出了Grekhov开通电压模型，然后通过RSD直接预充电路实验详细分析了RSD的开通机理。在此基础上设计了可行的开通电路实验方案，结果显示，在预充电流注入的电荷量一定的情况下，随着预充时间的增大，RSD开通电压峰值先减小后增大。最后本文提出了有效预充电荷量的概念，即预充电流注入的电荷量减去在反向预充过程中由于大注入下载流子复合效应消耗的部分之后所剩余的电荷量，并以此对实验结果作出了解释。RSD的最小开通电压峰值对应于最大的有效预充电荷量，在RSD实际应用中通过本文设计的开通电路实验方案调整电路参数使RSD尽量工作在预充时间与此相对应的情况下，可以提高电路的工作性能，实现RSD脉冲功率系统的低开通功耗设计。