论文部分内容阅读
ZnO:Al(AZO)薄膜因其低电阻率与高可见光区透射率有望替代ITO,成为主要的透明导电氧化物(TCO)材料。相对于ITO材料,AZO薄膜原材料丰富,价格低廉且无污染,是理想的透明导电氧化物材料。目前用以制备AZO薄膜的方法有多种,其中磁控溅射技术因其高的沉积速率与均匀性被认为是重要的制备AZO薄膜的技术之一。本论文利用射频磁控溅射技术,以ZnO:Al_2O_3(2 wt%Al_2O_3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶AZO薄膜。为了与半导体制造领域的剥离工艺相兼容,所有样品均在室温下