在集成电路的制造中，PSG薄膜可以有效的捕捉可移动的金属离子，且具有低的介电常数等优点，被广泛地应用在PMD制程中，作为金属沉积前的介电质绝缘层。随着超大规模集成电路的工艺特征尺寸的持续缩小，自对准接触孔刻蚀的集成工艺被广泛地应用在PMD制程中，它可以有效地降低对光刻精度的要求。但此集成工艺的应用需要制备出高浓度的PSG薄膜，来提高干法刻蚀的选择比。所以，研究制备高浓度的PSG薄膜，并且使其满足实际工艺集成的要求具有很重要的意义。本文用HDPCVD的方法制备磷含量9wt%的高浓度PSG薄膜，满足了产品工艺集成对薄膜的高品质，高浓度的要求，并且通过实验设计进一步研究了各工艺参数对薄膜性能的影响，保证了工艺的稳定与可靠，以满足大批量生产的需要。针对高浓度HDPCVD PSG薄膜的纵向磷浓度不均匀的问题，分析了其产生的机理，优化沉积条件的步骤，使温度与PH3流量相匹配，使薄膜的磷浓度纵向分布均匀一致。对于工艺集成过程中，硅片中心位置接触通孔未刻通失效现象多发的问题，通过对HDPCVD PSG薄膜膜厚面内倾向性的管理，有效的增大了SAC刻蚀的工艺窗口，解决了中心失效的问题。对于在产品的栅极周围有一层类似花朵形状的磷掺杂分布，我们称之为Flower Pattern。经研究发现这是HDPCVD PSG所特有的。通过具体的实验对Flower Pattern的形成过程以及形成机理进行了研究。找到了影响Flower Pattern的关键参数。为在生产中有效地控制FlowerPattern形状提供了理论依据。