【摘 要】
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该文对ULSI器件中的量子力学效应和量子隧穿电流的研究方法,对器件性能的影响和模型方面进行了系统的研究工作.在量子力学效应和量子隧穿的研究方法中,该文研究了自洽求解薛
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该文对ULSI器件中的量子力学效应和量子隧穿电流的研究方法,对器件性能的影响和模型方面进行了系统的研究工作.在量子力学效应和量子隧穿的研究方法中,该文研究了自洽求解薛定鄂方程和泊淞方程的数值计算方法,提出了利用尺度变换加速求解薛定鄂方程的方法.该方法利用方程变换,应用均匀网格实现了非均匀网格所能达到的效率.在量子力学效应对MOS结构和MOSFET器件性能的影响的研究中,该文利用自洽求解薛定鄂方程和泊淞方程的方法系统地研究了量子力学效应对MOS结构反型层和积累层载流子分布,电势分布,反型层厚度,开启电压和电容特性的影响.研究了量子化的反型层载流子简并度的变化,发现量子化的反型层载流子简并度降低的特性,分析了玻尔兹曼统计分布带来的误差.研究了低温下的量子力学效应,发现低温下量子力学效应的影响更加严重,尤其在开启区.对于量子力学效应对MOSFET特性的影响,开发了包含量子力学效应的二维通用器件模拟器,研究了小尺寸器件由于量子力学效应导致输出电流降低的特性.研究了量子力学效应对短沟道效应的影响,发现量子力学效应导致短沟效应更加严重.
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