无机-有机杂化纳米材料由于兼具有机、无机和纳米材料三者的优良性质,特别是在其界面处可以形成异质结而导致新的物理、化学性质的产生,已经受到人们的广泛关注。本论文主要发展了新的生长和调控方法制备具有高指数晶面有机二维纳米晶,构筑了系列一维无机-有机纳米材料,实现了对其异质结界面的调控,并进一步调控了其性能。1.发展了新的生长和调控方法制备具有高指数晶面有机二维纳米晶:利用5,10,15,20-四(4-羧基苯基)卟啉(TCPP)铵盐与金属硝酸盐反应制备了系列二维金属卟啉配合物纳米结构,并通过改变金属离子实现了对其形貌的调控。在此基础上,以Zn TCPP纳米带为前驱体,发展了利用无机纳米粒子调控有机纳米结构的新方法,获得了具有高指数晶面的二维TCPP单晶纳米片,并通过对反应条件的控制实现了二维纳米片的形貌和性质的连续调控。2.发展了原位电化学沉积与自组装结合的方法,控制制备了石墨炔(GD)/硫化铜(Cu S)有机无机核-壳纳米线阵列,通过改变原位电化学沉积的条件控制Cu S纳米壳的生长,实现了GD/Cu S有机无机核-壳纳米线的可控生长,并进一步实现对异质结界面面积和其电学性质的调控,发现异质结界面面积越大,异质结纳米线的整流比越小。3.通过调节噻吩[3,2-b]噻吩(TTh)的浓度和电化学氧化的电位控制制备了具有不同结构的聚噻吩[3,2-b]噻吩(PTTh)纳米线和纳米管,进一步通过电化学沉积法在PTTh纳米线和纳米管上生长硫化镉(Cd S)纳米线,实现了PTTh/Cd S有机-无机异质结纳米线阵列的可控制备,研究发现纳米线的异质结界面越大整流比越小。4.发展了原位自组装生长方法可控制备了卟啉二炔聚合物(PTEPP)纳米管,通过电化学沉积法在PTEPP纳米管的内部和外部同时生长硫化铜(Cu S),获得了具有新结构的PTEPP/Cu S核-壳异质结纳米线阵列,发现其具有优良的整流二极管性能,并且对光有良好的响应,可以用于光检测。