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ZnO由于其室温禁带宽度大、激子束缚能高等优点,未来有望在半导体短波长发光领域实现应用。近年来,有关ZnO材料制备、掺杂、LED器件、LD器件、纳米结构方面的研究也有长足进展。但是,材料最终能否应用于实际,不仅仅需要对材料生长、器件制备工艺有深入理解,还需要相关半导体表征技术的发展。对于半导体材料来说,电学性能是极为关键的性能。随着材料器件结构、微观结构的复杂化,传统的电学性能测试(如霍尔效应测试)方法逐渐受到挑战。为此,研究适用性好、检测快速、无损伤的电学性能表征方法具有重要意义。拉曼光谱是解决这