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近年来,电介质电容器由于具有充放电时间短、成本低等特点,在电力电子行业得到了广泛应用。而电介质陶瓷材料与聚合物电介质电容器材料相比,它的温度较高,应用范围广阔,因此引起了大量研究者的关注。但是,每种材料都有它的不足之处,电介质陶瓷材料的击穿强度相对较低,这也限制了它的储能特性不能满足现在需求。为了改善这一缺点,目前有报道出三相点电介质陶瓷材料在储能邻域的应用,它在低电场条件下极化强度较高,且储能效率也可以达到90%以上,随着电场强度增加,三相点电介质陶瓷样品很快被击穿。与此同时,本论文通过传统固相烧结法添加低相对介电常数BZN、BMZ材料来提高它的击穿强度,从而改善三相点电介质陶瓷材料的储能性能,并对三相点陶瓷材料进行测试与表征分析。本论文的主要研究内容与成果如下:1.成功地制备了(1-x)BTS-xBZN两相复合储能陶瓷材料。经过在频率为10Hz条件下的铁电测试计算出了 BTS-10wt%BZN陶瓷的有效储能密度为1.15 J/cm3,储能效率达到99%以上。2.制备了 BTS-10wt%BMZ固溶体储能陶瓷材料。采用BMZ材料提高三相点BTS陶瓷材料的储能密度,在牺牲储能效率的基础上有效储能密度可以达到1.52J/cm3。3.制备了高储能性能的Ba0.9Sr0.iTi0.895Sn0.105O3-11wt%BZN固溶体陶瓷材料。在三相点BTS陶瓷材料中添加SrTiO3线性电介质和低相对介电常数BZN材料,使得Ba0.9Sr0.1Ti0.895Sn0.105O3-11wt%BZN固溶体陶瓷材料的有效储能密度最高为2.18 J/cm3,储能效率达到95.6%。