【摘 要】
:
受大自然光合作用启发,为了直接通过太阳能光催化实现富含能源化合物的转化,很多具有不同电子能带结构的半导体材料的人工光合成催化系统被设计出来并得到了很好的研究,该光催化体系涉及多个反应空间位点,跨多个时间尺度的电荷转移与分离过程。催化效率的提高与光吸收效率,电荷转移分离效率以及界面催化效率都有直接的关系。为进一步优化材料设计与构建,本论文中,我们利用多时间尺度的时间分辨光谱技术,通过研究半导体光催化
【机 构】
:
中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
【出 处】
:
中国科学院大学(中国科学院物理研究所)
论文部分内容阅读
受大自然光合作用启发,为了直接通过太阳能光催化实现富含能源化合物的转化,很多具有不同电子能带结构的半导体材料的人工光合成催化系统被设计出来并得到了很好的研究,该光催化体系涉及多个反应空间位点,跨多个时间尺度的电荷转移与分离过程。催化效率的提高与光吸收效率,电荷转移分离效率以及界面催化效率都有直接的关系。为进一步优化材料设计与构建,本论文中,我们利用多时间尺度的时间分辨光谱技术,通过研究半导体光催化材料的光生电荷的动力学行为,揭示影响光生电荷的转移与分离效率的因素。ZnO是一种光电领域广泛使用的半导体材料,其常见的晶体结构为六角密排结构,为极性半导体,内部存在极化电场。室温下,ZnO带隙为3.37 e V,与光催化原型材料Ti O2具有很多相似的特性,但是它们的催化性能却有很大的差异。基于ZnO应用的广泛性以及其中诸多不确定的催化机制,本论文将利用超快时间分辨光谱技术,系统性研究ZnO基光催化材料的载流子动力学,希望从系统的分析揭示出其内在的微观机制。具体的研究成果有如下几个方面:(1)金属半导体异质结被认为有助于促进电荷分离和催化活性的提高,尤其是对于Ti O2与贵金属助催化剂构成的金半异质结,光生电子的寿命被延长到了一到二个数量级。但是对于半导体ZnO和贵金属助催化剂的选择性方面一直没有形成定论。因此,我们利用时间分辨光谱研究ZnO与贵金属助催化剂纳米颗粒之间的电荷转移和分离效率问题。我们发现:对于欧姆接触的Ag-ZnO纳米颗粒,光激发产生的类自由电子的载流子从ZnO转移到Ag,转移速率为1/14.1 ps-1。而在肖特基接触的Pt-ZnO以及Au-ZnO体系中却没有观测到上述载流子转移过程,可能的原因是肖特基接触形成的界面处的势能面弯曲不利于电子的转移,并进一步导致从浅束缚态转移到贵金属助催化剂的速率非常慢,在1/10 ns-1左右。在此基础上我们提出一种双金属助催化剂的构型,一种金属用于促进电荷分离,另一种金属负责催化反应效率的提高。我们的结果提供了一种贵金属助催化剂新思路。(2)极性晶体和离子晶体中导带的电子和与其结伴而行的晶格畸变的复合体称为极化子。导带中的电子使晶格离子位移而伴生极化,其电场又反作用于电子,电子总是带着它所引起的晶格畸变一起运动。半导体中,光激发后形成的极化子能够进一步形成载流子,而载流子的寿命又决定了光催化材料的催化效率。ZnO的本征缺陷氧空位中的电子与周围的晶格会发生耦合并形成极化子态,基于此,我们应用飞秒时间分辨光谱研究了单晶ZnO的极化子激发态的动力学行为。为了同时实现超快的时间分辨和具有能态选择性地的激发和探测,我们利用激发能量扫描-宽频域光谱探测的飞秒时间分辨光谱研究了单晶ZnO中与氧空位有关的极化子激发态的动力学。我们发现当激发能量低于带隙(3.37 e V)并高于在3.18 e V时,价带电子被激发到位于导带下方的浅束缚态。这些浅束缚态电子的动力学中没有发现声子耦合的振荡行为。当激发能量进一步减小,将从带间氧空位激发出能级位于导带内的极化子态。极化子态的动力学上叠加的频率为50 GHz量级的振荡信号说明电子和周围声学声子的耦合。并且我们的红外瞬态吸收光谱探测到了极化子态向导带注入电子约1 ps的过程,最后注入的电子经过捕获后,在很长的时间内才发生复合。相比于带间激发,由极化子态驰豫到导带而产生的载流子的寿命有了很大的提高,有利于后续的光催化反应。
其他文献
碳基材料具有丰富多样的物理和化学性质,在生活、工业、航天等领域都有着广泛的应用。随着合成工业的快速发展,一系列低维碳基材料被人们发现和研究。这些低维材料由于具备新奇的物理性质而备受关注,例如石墨烯具有狄拉克电子态、双层魔角石墨烯中存在莫特绝缘体态、石墨烯纳米带拥有半导体能隙且有反铁磁基态以及有机拓扑绝缘体有非平庸的拓扑边界态等。由于碳基材料的存在形式具有多样性,为寻找具有优异性质的低维碳基材料提供
自然界的光合作用在传能与电荷分离过程中所展现出的高效性一直令人心向往之。近十年,量子相干机制的提出为理解高效传能与电荷分离过程打开了一扇新的大门。而如何从所观测到的量子相干现象刻画出实际的相干传能物理图像仍然存在诸多争议,还需要发展更为有效的实验和理论方法对量子相干过程进行检验。本论文以二维电子光谱为主要的实验研究手段,详细介绍了二维电子光谱在仪器搭建过程的主要技术难点和解决思路,并且在散射抑制和
自从2004年第一次被成功剥离以来,具有sp2杂化的蜂窝状格子的石墨烯引起了研究者广泛的兴趣。石墨烯本身具有优异的电学、机械以及光学等性质,有着巨大的应用潜力。为实现石墨烯在电子学领域的应用,首先需要解决的关键问题是在绝缘基底上制备大面积、高质量的石墨烯。随着研究的发展,研究者发现在过渡金属单晶表面外延生长是一种制备高质量、大面积石墨烯的有效方法。然而,石墨烯π带和过渡金属d电子之间的杂化作用会导
光纤作为现代光信息领域的重要媒介,其每一次进步都推动着与之相关的诸如光通讯、光学传感、非线性光学、光纤激光器、量子光学等领域的发展,深远地影响着人类社会的变革。光子晶体光纤是光纤家族里的重要一员,周期性的光子晶体包层结构使其具有丰富的设计自由度。为了应对现代社会的发展需求,光纤设计领域还有一些亟待解决的难点,如单偏振单模的宽带实现等。拓扑光子学是光学领域的一个新兴方向,它是拓扑原理和光学体系的融合
全固态锂电池被认为是替代传统锂离子电池,兼具更高能量密度与高安全性的下一代锂电池的潜在选择。虽然目前固体电解质获得了广泛的研究,锂离子电导率不断提升,部分固体电解质离子电导率已经达到甚至超越电解液的水平,但是全固态锂电池的电化学性能距离先进锂离子电池依旧存在巨大的差距。而导致这种差距的关键问题为固态锂电池中的表界面稳定性差,导致界面性质严重限制了电池整体性能。在本论文中主要关注两种重要固体电解质材
在自旋电子学中,人们希望通过外部条件,如电场或者磁场,来调控材料中的载流子自旋方向从而设计逻辑器件。半金属和双极性磁性半导体是潜在实现该功能的材料,它们可以提供100%极化的自旋电流以及通过外部条件进行可逆的载流子自旋方向调控。近些年来,人们一直在寻找和设计该类具有高居里温度的自旋电子学材料。另一方面,传统的磁性材料通常由含d/f电子的金属构成,而近期人们发现非磁性元素,如C、N、O,也可以携带磁
在本文中,我们介绍了一维的量子自旋链在几种不同边界条件下的严格解。在第一章中,我们首先介绍了在量子可积系统中起到重要作用的方法——Bethe ansatz方法,以及在实际应用中Bethe ansatz方法的各种不同形式,例如:代数Bethe ansatz,嵌套代数Bethe ansatz方法以及非对角Bethe ansatz方法。我们在这一章中也介绍了这些方法在应用时所涉及到的各种概念和技术等等。
超快脉冲激光技术的发展为磁光实验开辟了一个新的领域——超快磁动力学,这种在飞秒和皮秒尺度上对磁矩进行的探测和操纵,为未来高频磁器件的研究与探索提供了新的方法。早在1996年,E.Beaurepaire等科学家就观测到了飞秒尺度的激光诱导超快退磁现象,而后Koompans等人提出并实现了用飞秒激光在磁性薄膜中激发纳秒尺度自旋进动和检测自旋波的可能,这为我们进行自旋探测和研究提供新的思路。二十多年的发
铁基超导体作为第二大高温超导家族,自发现以来一直是凝聚态物理中的研究热点。尽管理论和实验上投入了大量的精力,但是其超导机理仍然没有得到解决。过渡金属硫化物具有优异的物理化学性质和巨大的应用前景,受到了人们广泛的关注。角分辨光电子能谱技术(ARPES),作为唯一能直接探测材料内部电子能量、动量和自旋信息的实验手段,在铁基高温超导体以及过渡金属硫化物电子结构的研究中扮演着很重要的角色。本论文使用高分辨
Ⅲ-Ⅴ族Ga As、In As材料是直接带隙半导体,具有优异的光学性质,在高效率光探测器、激光器等器件中有广泛应用。IV族Si、Ge是微电子领域的基础材料,具有先进成熟的加工工艺。近年十多年来,为了实现Ⅲ-Ⅴ族光电材料在IV族衬底上的集成,以IV族材料为基底的Ⅲ-Ⅴ族材料异质外延生长研究受到了广泛的关注。此外,特定结构的Ga As/Ge异质结薄膜还被预言可能具有拓扑物态等新奇性质。器件的物理性能直