本文较为系统的研究了在抛物限制势下盘型量子点中弱耦合和强耦合极化子的性质。采用修改的线性组合算符和幺正变换相结合的方法导出盘型量子点在弱耦合和强耦合情况下的光学声子平均数。 在本文中，从电子-声子相互作用的哈密顿量出发，首先采用修改的线性组合算符和幺正变换相结合的方法研究了盘型量子点中弱耦合极化子的光学声子平均数，通过对半导体材料进行数值计算，导出了光学声子平均数随极化子速率和电子-体纵光学声子耦合强度的变化关系，以及量子盘中弱耦合极化子的振动频率随着量子盘的横向和纵向的有效受限长度的变化关系；然后，我们运用同样的方法研究并考虑了电子-声子强耦合情况的极化子，并对半导体材料进行数值计算得到光学声子平均数随极化子速率和电子-声子耦合强度的变化趋势，振动频率随着极化子速率、量子盘的横向和纵向的有效受限长度的变化关系。通过数值计算结果表明：弱耦合极化子的声子平均数随电子-体纵光学声子耦合强度和极化子速率的增加而增大，振动频率随量子盘的横向、纵向的有效受限长度的减小而迅速增大；在强耦合情况下声子平均数随极化子速率的增加而增大，振动频率随着量子盘的横向、纵向的有效受限长度的减小而迅速增大。