YVO4:Eu3+纳米晶的化学合成及其光致发光性能表征

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以Y(NO3)3-6H2O、NH4VO3和Eu2O3为出发原料,采用NAC-FAS方法在<100℃的温度的常压、大气条件下合成了YVO4和YVO4:Eu3+纳米晶,通过改变合成过程中的不同工艺参数,包括醇水比、NaOH加入量和反应时间,研究其对合成YVO4纳米晶的影响;在此基础上,讨论合成过程中的工艺参数等对YVO4:Eu3+纳米晶的直接化学合成的影响规律和NAC-FAS法合成YVO4和多组元YVO4:Eu3+的化学机制;研究与此相关的YVO4:Eu3+纳米晶的晶体结构、晶粒尺寸、表面状态及Eu3+掺杂量对YVO4:Eu3+纳米晶光致发光性能的作用规律。研究结果表明:(1) NAC-FAS法直接合成纳米晶YVO4和YVO4:Eu3+的化学过程中,YVO4和YVO4:Eu3+的固相析出是由于溶解于醇水体系的阴、阳离子反应,形成难溶性、不溶性反应产物(EuVO4、YVO4)形成的;难溶性、不溶性的反应产物析出过程中,部分达到临界固相形核尺寸的固相析出物形成固相核心,或析出相依附于已有核心长大形成固相产物;在一定pH值环境下,随着析出过程的进行,固相核心逐渐长大,同时,析出相通过“析出”过程使离子重排,形成长程有序的晶体相-YVO4和YVO4:Eu3+的纳米晶。(2)在醇水比为100/150、NaOH加入量为2g、反应时间为2-6h、不同Eu3+掺杂量的实验条件下,YVO4:Eu3+纳米晶的平均晶粒尺寸约为25.0±2.0nm,在325nmHe-Cd激光激发下,YVO4:Eu3+的发射谱位于619nm和702nm处,其中619nm处具有最强发射峰,Eu3+临界猝灭浓度大约为20%。(3)随着结晶度的提高、晶粒尺寸的增大,纳米晶的光致发光强度显著增强;在本研究条件下,采用微波处理后的YVO4:Eu3+纳米晶的PL强度比未处理前提高约400%。采用800℃常规热处理lh,YVO4:Eu3+纳米晶的PL强度比未处理前提高约500%。
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