本文采用中频脉冲磁控溅射法，通过优化ZnO：Al薄膜的制备工艺，如靶电压、本底真空度、工作气压、衬底温度、O₂／Ar，得到可用于硅薄膜太阳能电池背电极的ZnO：Al薄膜。通过膜厚、薄膜电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度、光透过率、光反射率、薄膜成分、XRD测量，分析薄膜性能，得到最佳的工艺参数：O₂／Ar受沉积速率的影响随各参数变化而变化无固定值，靶电压265V，温度140℃，本底真空度要尽量大，工作气压0.6Pa。 为了优化硅薄膜电池ZnO：Al／Al背反射电极的增反效果，通过理论计算和实验分析，得到反射效果最佳时的膜厚是1000。与背电极紧密接触的n—Si中，n—μc—Si的耐轰击能力较强，与背反射电极的匹配较好，所以在非晶硅电池上应用n—μc—Si可以提高背反射电极的增反效果。 在硅薄膜电池的ZnO：Al／Al背反射电极应用方面，通过减小靶电压、适当增加靶距和基片的运行速度来减小对电池的轰击，改善电池性能，通过优化实验条件，使电池的短路电流提升了3.7mA／cm²，效率增加了2％，稳定性得到改善。