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石墨烯是当前广受关注的材料之一,作为一种潜力巨大的二维薄膜材料,凭借其优秀的电学、力学等性质吸引了大量科研工作者的研究热情,引起了学术界的热潮,近年来发展迅猛。而石墨烯应用的基础是石墨烯的制备,目前主流的制备方式有机械剥离法、氧化还原法、碳化硅外延生长法以及化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)。其中化学气相沉积法以其相对低廉的成本,操作简单的优势,受到了许多石墨烯科学家的关注,但是目前而言通过化学气相沉积法工业化制备石墨烯还有很长一段路要走。本论文通过化学气相沉积法在铜箔衬底上制备石墨烯薄膜,利用多点形核生长取向一致的石墨烯阵列从而制备大面积单晶石墨烯以及对铜晶界处石墨烯的生长行为进行了研究。多晶石墨烯的晶界是影响其电学与力学性能的主要原因,我们利用多点形核方法制备大尺寸石墨烯单晶,通过将普通商用铜箔表面单晶化后(较低能量的铜(111)),通过常压化学气相沉积法(Atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备出取向一致的六边形石墨烯点阵,继续生长将其无缝拼接在一起形成大晶畴的石墨烯薄膜,大大加快了石墨烯生长速率,且晶畴尺寸最大可以达到厘米级。由于我们的铜箔是多晶铜箔,我们发现石墨烯晶畴可以跨过铜晶界进行生长,石墨烯晶畴取向由形核阶段决定,铜晶界并不会改变其原子排布。此外我们探究了铜基底、预氧化程度、生长温度、对生长结果的影响。由于铜晶粒尺寸限制,无法制备出大面积的单颗石墨烯单晶,我们通过生长参数的调控,降低了形核密度,可以在较短时间内制备出大面积的石墨烯单晶。