本论文根据不对称耦合线特性、RF MEMS开关、耦合线介质加载技术和基于MEMS开关的可重构定向耦合器进行研究。近年来,由于高性能MEMS开关的出现,使可重构微波器件吸引了越来越多的注意,例如MEMS可重构微带天线、MEMS可重构微波滤波器等。但是对于微波系统中MEMS可重构定向耦合器的研究,特别是具有较强耦合度的平行线MEMS可重构定向耦合器的研究还比较欠缺。因此,本课题具有较高的研究价值和应用价值。首先,本论文对目前国内外可重构定向耦合器的研究状况进行了分析,总结和归纳。其次,根据不对称平行耦合线原理,提出一种基于MEMS开关的可重构定向耦合器结构。仿真结果表明,改变耦合线间距和耦合线宽度,可改变耦合线的耦合系数,从而实现可重构定向耦合器的功能。最后,根据耦合线介质加载技术原理,通过在平行耦合线上方加载介质和金属面,大大增加平行耦合线的耦合系数。研究表明,耦合系数可达到3dB,甚至超过3dB,使耦合端变成直通端,而原来直通端变成耦合端,从而实现了耦合端端口可调。最终设计得到的定向耦合器可以工作在4种状态,其S31值分别是:—3.5dB,—3.18dB,—3.01dB,—2.63dB,而尺寸仅为10.2~*31.6mm~2。