垂直腔面发射半导体微腔激光器以其高速度、低阈值、可集成的特点,成为目前国内半导体激光器研究领域的前沿课题.垂直腔面发射半导体微腔激光器的这些优点主要来自于微腔效应对自发辐射耦合因子的提高和对自发辐射寿命的减小.但是目前的垂直腔面发射微腔激光器却常常面临自发辐射寿命增加和自发辐射耦合因子很小(约10<-4>~10<-5>)的问题,因此很有必要对这两个问题进行研究.该文针对典型的以DBR为反射器的折射率引导的量子阱激光器,采用单偶极子辐射元近拟模型,对垂直腔微腔自发辐射光强的各向异性进行了研究,分析有源区腔长对自发辐射寿命的影响和有源区半径和腔长对自发辐射耦合因子的影响,得出以下结论:自发辐射寿命的大小与微腔腔长的密切相关,当微腔腔长为波长的整数倍时,自发辐射寿命减小,当微腔腔长为半波长的奇数倍时,自发辐射寿命反而增加,由此可以推测当今的垂直腔面发射激光器的自发辐射寿命往往增加强能与腔长是半波长的奇数倍有关.这对制作宽调制带宽的激光器提供了理论依据.为提高自发辐射耦合因子,要求微腔腔长越小越好,并且腔长应为激射波长的整数倍.但通过示例可知,垂直腔面发射激光器的有效腔长往往很大,严重制约了自发辐射耦合因子的提高,为此该文采用减小有源区半径的方法,大大提高了自发辐射耦合因子.同时,反射率的增加也有利于自发辐射寿命的减小和自发辐射耦合因子的增加.