伴随通信技术的发展，人们通信技术要求的逐渐提高，为了获得更加舒适的生活和更加便利的通信方式，需要使得通信滤波器有较小的尺寸，更高的运行速度，更大的带宽和更为经济的使用成本，体声波谐振器作为一种全新的滤波器形式件是满足人们需求的最佳选择。其应范围从通信领域逐渐扩大到了传感器件领域，但目前的研究主要集中于器件本身的性能和扩大其应用范围，对材料的热稳定性及器件在使用中的热性能研究还有所不足。针对上面的问题，本文采用磁控溅射技术和有限元方法对体声波谐振器的的热性能进行了研究，使用磁控溅射技术制备了氧化硅、非晶碳和钨薄膜，其中氧化硅作为低声阻抗材料使用，非晶碳和钨作为高声阻抗材料使用。文中研究了温度、功率和气压等实验参数对薄膜性能的影响，使用有限元方法结合实验所测得的实验结果对体声波谐振器的热性能和热应力水平进行了相应的分析，对所用的材料进行相应的评定。GIXRD研究表明使用磁控溅射制备出的氧化硅和非晶碳薄膜都呈现非晶态结构，温度对薄膜晶态结构没有影响。在较低功率下制备的钨薄膜为稳态结构，在较高温度下制备的薄膜为稳态和亚稳态结构的混合体，在有限的温度变化条件下没有改变薄膜的晶态结构。XRR研究表明，在温度逐渐上升的条件下，非晶碳薄膜的密度逐渐下降，氧化硅和金属钨薄膜的密度逐渐上升，同时纳米压痕研究表明，随着温度的上升，非晶碳薄膜的杨氏模量逐渐下降，氧化硅薄膜的杨氏模量逐渐上升而金属钨薄膜的杨氏模量出现先上升后下降的状态。文中使用了磁控溅射技术进行了氧化硅/非晶碳和氧化硅/钨多层薄膜结构的制备同时研究了多层薄膜结构的热稳定性，研究表明氧化硅/非晶碳在较低的温度下有较好的声阻抗比而随着温度的上升声阻抗比逐渐下降，当达到300oC时就不能很好的反射波能量，对于氧化硅/钨多层薄膜结构温度稳定性较好，在温度小范围上升时可以在一定程度上改善薄膜的声阻抗比，提高器件的使用性能，现时多层薄膜结构也有较好的温度稳定性。针对器件的热性能文中使用有限元方法并结合实验测试结构对器件的温度和热应力水平进行了研究，随着Bragg反射栅的层数增加，器件的温度逐渐上升，使用非晶碳作为高声阻抗材料可以较好的改善材料的热性能，使用Mo作为电极材料可以在一定程度上降低器件的工作温度，减小器件的热应力水平。同时发现下电极对器件使用温度的影响远大于上电极，因此压电堆所产生的热量主要通过Bragg反射向外传递。针对器件瞬态热性能的计算发现，使用非碳和Mo制备的器件的降温速率较快。