Ar/CF4混合气体常见于等离子体刻蚀的研究,其在低气压射频等离子体方向已经得到非常全面的研究。对于拥有诸多特性如能量利用率高、无电极污染的微波放电而言,特别是采用光谱方法对Ar/CF4等离子体中的电子温度以及特殊粒子浓度的诊断,这方面的研究还比较少见。为了研究Ar/CF4微波等离子体的性质以及其内部复杂的物理化学反应过程,本文采用发射光谱法和可调谐二极管激光吸收光谱法对Ar/CF4微波等离子体进行了诊断。利用发射光谱法主要考察了电子温度、F原子相对数密度,随微波功率、气压和气体配比的变化规律；利用吸收光谱法考察了Ar亚稳态1s5、1s3能级绝对数密度和气体温度随微波功率、气压的变化规律。取得的实验结果如下：(1)分别根据费米-狄拉克模型和日冕模型计算了体系的电子温度。随着微波功率的增大,电子温度缓慢增加,费米-狄拉克模型计算的电子温度在0.8 eV左右,日冕模型计算的电子温度在0.7 eV左右；随着气压或者Ar配比的增大,两种模型计算的电子温度快速下降,并逐渐接近。(2)利用发射光谱内标法,得到了F原子相对数密度的变化规律。发现F原子相对数密度随微波功率和气压的增大而增大。(3)根据吸收光谱法计算了Ar亚稳态1s5和1s3能级的绝对数密度。并发现1s5的数密度在1016m-3数量级,是1s3数密度的10倍以上,并且它们都随微波功率和气压的增大而减小。(4)根据Ar 1s3吸收谱线的多普勒加宽得到了气体温度。发现气体温度在1600～2600 K之间,而且它随微波功率和气压的增大而增大。