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本论文分析了工业V2O5中的杂质及其含量，并用它代替价格较贵的A.R.V2O5作原料，用价廉的H2C2O4·2H2O代替较昂贵的N2H4·H2O作还原剂，配制出PH为1.0、浓度为2.0mol/L的VOCl2溶液。成功地用工业原料制备出纳米晶VO2±x陶瓷。实验结果表明：采用工业原料制备的纳米品VO2±x陶瓷对陶瓷的电性能并无影响。研究中应用化学分析法测定VO2陶瓷的组成，原子力显微镜(AFM)观察陶瓷的微观形貌，用恒流四电极法测定电阻率—温度曲线。
研究表明，未经超声波破碎的前体在500℃下热分解所得的VO2.000粉体经压片，并在氩气保护下于1020℃烧结15min，可得到密度为理论密度95.18％的，机械强度大的纳米晶VO1.999陶瓷。在前二十次热循环中，其相变温度(Tc)为68.0℃，第一次热循环的电阻率跃变倍数为358.3。但第二十次热循环电阻率—温度曲线的重合程度(ρ40/ρ98)20/(ρ40/ρ98)1之值为0.319，非常小。其原因是陶瓷烧结的密度不够大，相变时出现微裂缝，导致了陶瓷电性能不够稳定。
工业原料制备纳米晶VO2±x陶瓷的工艺简单，能有效地节约能源，降低成本。但陶瓷的电性能稳定性有待进一步深入研究。