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本论文主要包括两方面的内容:（1）用脉冲激光沉积法（PLD）法在不同的基片上制备了窄禁带半导体PbSe薄膜,系统地研究了制备工艺参数对薄膜结构及形貌的影响,测试了PbSe薄膜的光电性能;（2）用PLD法制备了宽禁带半导体ZnO薄膜及不同Mn离子掺杂比例的Zn1-xMnxO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及光学性能。 分别用扫描电镜X能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）对薄膜的成分、结构和形貌进行了表征。测试结果表明:PLD法制备的薄膜的成分与靶材的基本一致,实现了同组分沉积;所有制备的薄膜都为多晶薄膜,发现薄膜生长温度是影响薄膜衍射峰的主要因素,基片类型对此影响不明显;所有薄膜表面比较平滑,结构比较致密;其中PbSe薄膜的表面不平整度小于200nm,ZnO和Mn离子掺杂ZnO薄膜的表面不平度小于100nm;生长温度和激光能量降低能提高薄膜表面的平整度。 首次研究了PbSe薄膜光电性能,测试结果显示:薄膜对红外光具有敏感的响应特性;在波长为5um处存在有明显的吸收边,此吸收边对应于直接带隙PbSe材料的禁带宽度;对应于波长小于5um的红外光,PbSe薄膜存在有明显的强吸收;PbSe/Si异质结具有较好的结特性。 通过对ZnO和Mn离子掺杂ZnO薄膜光学性能的测试得出:ZnO薄膜在387nm附近存在有明显的吸收边,此吸收边对应于ZnO薄膜的禁带宽度为3.2eV;ZnO薄膜在近紫外区具有强吸收,在可见光区具有高透过率;首次利用Mn离子掺杂成功实现了ZnO薄膜的禁带宽度的调节。随着Mn离子掺杂量x的增加,薄膜对光的吸收发生了明显的蓝移现象,薄膜的禁带宽度增加。当x从6%增加到12%时,薄膜对紫外强吸收区的光吸收能力也增加。