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太阳能电池逐渐成为解决能源问题的主要器件，其中CIS系列太阳能电池光电转化效率高、性能稳定，是潜力较大的太阳能电池。CIS系列太阳能电池材料的制备方法很多，然而传统的溅射等制备方法成本高、条件难以控制，晶体的成分形貌较难控制；传统的方法制备的薄膜材料的吸光性能相对较低。为了解决这两个问题本文采用了不同的方法制备了CIS太阳能电池材料并对其光吸收性能做了分析，主要的研究内容主要以下三个方面。首先（NH2）2CS、CuCl22H2O和InCl34H2O以乙二醇为溶剂利用溶剂热法制备CuInS2片状晶体，并分别讨论温度、时间、压力等条件对CuInS2片状晶体结构、形貌及光吸收性能的影响。其次（NH2）2CS和Zn（CH3CCO）2·2H2O以离子水和无水乙醇的混合溶剂为溶剂，采用混合溶剂热法制备球状ZnS晶体，并考察温度、时间、表面活性剂对ZnS的结构及其光吸收性能的影响，而且对其合成机理做了简单的探索。最后以PVDF为载体，采用涂覆法分别制备了CuInS2和ZnS涂层，并且分析了涂层的光吸收性能。文中分别采用扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）、傅立叶红外光谱分析（FT-IR）、X射线衍射（XRD）、等分析表征手段对所得晶体进行了表征，结果表明：1)温度对CuInS2的物相结构影响较大，随着温度的升高晶体纯度逐渐升高，150℃以下所得晶体含有CuS杂质相，150℃以上可以得到单一的CuInS2的晶体；时间对晶体形貌影响较大，反应时间越长晶体生长越完善，反应15h可得CuInS2片状晶体，压力对CuInS2的物相结构影响较大，常压条件下得到的晶体存在CuS杂质相；反应物的预处理对CuInS2的表面形貌影响较大，常压高温溶解处理，可得分散均匀的片状CuInS2晶体，本文对反应物经常压高温处理后在190℃温度下反应15h得到了单一的的分散较好的、平均粒径在160nm170nm之间的片状CuInS2晶体，而且在全部的可见光区域和部分的紫外光区域有较强的光吸收效率，禁带宽度约为1.43ev。2)温度、时间对ZnS微球物相结构和表面形貌有较大影响，在150℃条件下反应12h可得单一的、分散较为均匀的硫化锌微球。表面活性剂CTAB可以解决硫化锌晶体的团聚问题，当CTAB的浓度为1mmol/L时，得到的晶体粒径分布整齐，分散均匀。得到的硫化锌在200nm-350nm有较强的吸收，在可见光的吸收较弱，禁带宽度约为3.3ev。3) ZnS、CuInS2能较好的分散在PVDF中，PVDF的加入对制备的薄膜涂层的紫外光吸收性能有较小的影响，分别得到了禁带宽度约为1.42ev的CuInS2/PVDF薄膜吸收层和禁带宽度约为3.3ev的ZnS/PVDF薄膜窗口层材料，这两个薄膜材料都是CIS系列薄膜太阳能电池的理想材料。