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碲锌镉(Cd1-xZnxTe，简写CZT)晶体是一种性能优异的三元化合物半导体室温核辐射探测器材料。它具有电阻率高、暗电流低、热稳定性好、带隙宽且可调、探测射线能量分辨率较高等诸多优异的性能，适用于制作X射线和γ射线探测器。近年来倍受到人们的关注，并成为目前世界研究的前沿热点。然而，由于CZT晶体生长温度高、热导率低、各组元尤其是Cd具有较高的平衡蒸气压、Zn组分的分凝系数大、晶面堆垛能低等因素，而导致生长的CZT晶体中存在各种各样的缺陷。 本文针对CZT晶体主要缺陷以及产生的原因进行了分析，利用金相显微镜和扫描电镜对生长的CZT晶体中的缺陷形貌进行了观察，发现其中存在位错、晶界、孪晶界、沉淀以及夹杂等缺陷。通过对晶体红外透过率、紫外—可见光吸收、电阻率测试及腐蚀坑密度计算显示，刚生长的CZT晶体缺陷密度高，电阻率低，难以直接用于制作室温核辐射探测器。 为了获得适于制作探测器的高质量CZT晶体，对生长的晶体进行了退火改性研究。根据对CZT晶体退火机制的分析和退火工艺参数的选择，对生长的CZT晶体分别在不同气氛中进行了退火实验。首次采用正电子湮没技术对退火前后的CZT晶片分别进行了湮没寿命谱测试，同时分别用红外分光光度计和高阻仪对退火前后的CZT晶片的光学和电学性能进行了测试，结果表明，富Cd同成分源Cd1-xZnxTe粉末包裹CZT晶体，在700℃退火120h和在单质Zn气氛中600℃退火120h，能有效地减少或消除CZT晶体中的缺陷，改善其均匀性，提高其光学和电学性能，使其适合室温核辐射探测器的制作。 采用退火前后的CZT晶体制备了探测器，并在室温下对241Am源辐射进行了能谱响应测试实验，发现退火和未退火的CZT晶体制作的探测器均对241Am源有能谱响应。其中未退火的晶体制作的探测器，对241Am源辐照呈现一条连续响应谱