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本文采用偏压辅助射频等离子体增强脉冲激光沉积(RF-PEPLD)方法在常温下(25℃)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜,初步研究了薄膜沉积参数:激光能量密度、射频功率、基底负偏压和镀膜时间对立方氮化硼薄膜生长的影响,并分析了常温下用RF-PEPLD方法沉积立方氮化硼薄膜的形成过程和机理。利用高能脉冲激光(波长=532nm,频率=1赫兹,脉宽=10纳秒)在常温下轰击烧结的高纯六方氮化硼(h-BN)靶,在真空反应室中将BN薄膜沉积在单晶硅基底上。傅里叶转换红外吸收(FTIR)光谱仪、X射线衍射(XRD)仪