常温下脉冲激光沉积立方氮化硼薄膜和金刚石的纳米成核热力学研究

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本文采用偏压辅助射频等离子体增强脉冲激光沉积(RF-PEPLD)方法在常温下(25℃)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜,初步研究了薄膜沉积参数:激光能量密度、射频功率、基底负偏压和镀膜时间对立方氮化硼薄膜生长的影响,并分析了常温下用RF-PEPLD方法沉积立方氮化硼薄膜的形成过程和机理。利用高能脉冲激光(波长=532nm,频率=1赫兹,脉宽=10纳秒)在常温下轰击烧结的高纯六方氮化硼(h-BN)靶,在真空反应室中将BN薄膜沉积在单晶硅基底上。傅里叶转换红外吸收(FTIR)光谱仪、X射线衍射(XRD)仪
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