基于图形衬底GaN基LED外延片的测试与分析

来源 :华南师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ke19881101
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半导体发光二极管(LED)是新型的发光体,电光效率高、体积小、寿命长、电压低、节能和环保,是下一代理想的照明器件。半导体发光二极管(LED)已经被广泛应用于交通信号灯、全彩显示屏、液晶电视背光源、白光LED以及固态照明等。为了能够有效地获取高质量的晶体和异质结构,必须采用特定的一些方法来评估样品的光电性能和晶体质量。通过采用X射线衍射技术(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光PL、电致发光EL、霍尔检测技术Hall对样品性能进行表征,从而优化样品生长参数。   本文首先通过电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSS-LED)和常规平面蓝宝石衬底(C-LED)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSS-LED拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSS-LED具有较高的晶体质量。其次,PSS-LED的EL谱半峰宽随电流增加出现了更快的展宽,而这两种LED样品的PL谱半峰宽随激光功率增加呈现了基本相同的展宽变化,说明在相同电流下,PSS-LED量子阱中载流子浓度更高,能带填充效应更强。另外,随着电流的增加,PSS-LED和C-LED的峰值波长都发生蓝移,且前者的蓝移程度较小,结合半峰宽的对比分析,说明PSS-LED量子阱中的极化电场较小。   其次利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)对GaN样品进行表征。AFM照片显示图形化蓝宝石衬底上的GaN外延层表面粗糙度较低,其均方根(RMS)粗糙度为0.651nm。利用XRD对图形化蓝宝石衬底的GaN进行(002)和(102)面ω扫描,其半高宽(FWHM)分别为245.2arcsec和253.2arcsec,结果表明图形化蓝宝石衬底(PSS)上生长的GaN晶体质量相对于普通蓝宝石衬底具有明显提高。
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