半导体激光器增益谱和线宽增强因子是直接评估器件质量的关键参数,可以直接反应器件结构和材料优劣。本文首先针对器件样品A测试器件两端放大自发荧光辐射谱获得了1.55μm AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱半导体激光器的增益谱。分析了随着载流子注入、能带填充水平与激射波长和增益谱的关系,对比实验测量增益谱与理论模拟增益谱,可以得出此测量方法具有可行性的结论。利用Hakki-Paoli方法通过高分辨光谱仪测量出器件样品B边发射1.55μm F-P腔激光器纵膜,计算出改良后的半导体激光器增益谱,改良后的激光器激射波长得到了明显的改善,激射波长正好为1.55μm,测试结果反馈出我们对器件的分析结果很准确,此测试方法具有科研价值。通过两种方法测试的AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱半导体激光器增益谱,得到了各自器件的线宽增强因子,可以看出电流比较小的时候,线宽增强因子比较小。实验测试结果与模拟计算结果相比较,可以看出所使用的两种方法都具有可行性,分析认为对于计算半导体增益谱和线宽增强因子Hakki-Paoli测试计算方法更优。这是第一次利用两端单程放大自发辐射测试计算方法得到了1.55μm半导体激光器的线宽增强因子,具有创新性。其次,首先提出两种方法结合起来分析器件在阈值前后的增益特性,使更完整的表现出器件的增益质量,具有首创意义。