微波固态电路设计技术与工艺的发展，为微波、毫米波在雷达和无线通信领域的应用提供了强有力的支撑。特别是硅基集成电路工艺的发展，使低成本、高性能的微波单片集成电路（MMIC）、甚至是微波毫米波射频集成片上系统（SoC）成为可能。T/R组件作为相控阵雷达的关键技术，对雷达性能起决定性作用。近年来高集成度，低成本的雷达T/R组件成为研究的热点。混频器作为T/R组件中的关键模块，对整个T/R组件的性能具有决定性的影响。尤其是其线性性能，是关乎整个系统线性度的重要参数。现代有源相控阵雷达对混频器的增益和线性度都提出了很高的要求，这进一步增大了混频器设计的难度。基于这种背景，如何设计高增益、高线性度的混频器成为问题的关键。本文在传统双平衡混频器的基础上，经过多方面的优化，设计出一种折叠的高线性度、高增益的混频器。通过采用多栅晶体管（MGTR）技术，在有效提高混频器的线性度的同时，避免了其增益的退化。此外,本振级LC谐振槽路、负载PMOS分流管等技术的采用进一步提高了混频器的各项性能。本文还对混频器三个端口的接口电路进行了设计。在射频和本振端口，采用共源共栅有源巴仑实现单端到双端的转换。在中频输出端，采用输出有源巴仑和缓冲器实现双端到单端的转换，同时提高了混频器带负载的能力。有源巴仑的采用，极大的提高了混频器的集成度。设计最后给出了版图的设计方案。本设计采用TSMC0.35μm SiGe BiCMOS工艺库，使用Cadence Spectre RF工具进行仿真。仿真结果显示变频增益为12.97dB，输入1dB压缩点（P1dB）为2.88dBm，输入三阶交调点（IIP3）为16.18dBm。噪声系数为17dB。电路工作电压为2.5V。