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随着器件尺寸的不断缩小，半导体器件对电磁脉冲也越来越敏感。为了提高半导体器件和集成电路的稳定性，保证电子设备能够正常工作，研究电磁脉冲对半导体器件的影响是很有必要的。本文主要研究电磁脉冲作用下MOSFET的热效应。首先使用ISE-TCAD器件仿真软件对电磁脉冲作用下MOSFET的电热响应进行了仿真，根据仿真结果使用ANSYS有限元仿真软件对MOSFET施加功率脉冲进行热分析。从仿真结果可以看出，在电磁脉冲的作用下，半导体器件内部温度受脉冲的功率影响很大，足够大的功率甚至能使局部温度达到硅材料的熔点。另外，在重复脉冲的作用下，器件内部会产生热积累效应，当脉冲幅度、信号的重复频率很大时，器件容易被损坏。本文的研究途径及模拟方法为进一步研究复杂条件下半导体器件的热效应仿真提供了参考。