光电子集成技术的不断发展，使硅基发光材料成为广泛关注的焦点。近几十年来，各国学者对硅基发光材料和相关器件进行了研究。研究主要集中在如多孔硅，Si-SiOx，Si-SiNx，Si-SiOxNy等低维纳米结构材料上。但是，这些材料在实现较高发光效率方面存在不同程度的不足，限制着硅基发光材料的应用。近年来，SiOxCy因具有较强白光发射特性引起了各国学者的广泛关注。SiOxCy是一种理想的稀土离子掺杂的母体材料，而且SiOxCy能很好地控制硅基薄膜中载流子的注入。因此SiOxCy在硅基光电集成领域是一种具有应用价值的光源材料。本文主要对掺杂（碳，氮，氧和稀土离子）硅基薄膜的制备与发光特性进行了研究，研究内容如下：　　（一）利用甚高频-等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，以硅烷（SiH4），甲烷（CH4），氧气（O2）和氨气（NH3）等前驱体在为反应气体，沉积通过调控氨气流量制备若干氮掺杂SiOxCy薄膜。分析薄膜的光致发光光谱，FTIR光谱以及XPS的测量结果，发现通过调控SiOxCy薄膜中的氮含量，薄膜中缺陷发光中心会发生变化，并能够实现较强的白光发射。利用等离子体增强化学气相沉积系统制备了碳掺杂氮氧化硅膜，其中以硅烷（SiH4），甲烷（CH4），氧气（O2）和氨气（NH3）作为前驱体。通过调节甲烷流量，制备了不同碳含量的SiOxNy薄膜。分析光致发光光谱和激发光谱结果发现，通过调控薄膜中的碳含量，发光法强度的增强，且发光强度与碳含量的增加具有相同趋势。　　（二）利用磁控溅射系统制备铕离子掺杂SiOxCy薄膜。分析发现铕掺杂SiOxCy薄膜的光致发光光谱中具有明显的蓝光发光峰和红光发光峰组成。通过改变溅射功率实现对 SiOxCy薄膜中铕离子的含量调节，可以实现对发光强度的调节。分析光致发光图可以发现，随溅射功率的增强蓝光发光峰逐渐减弱，而红光发光峰逐渐增强。通过对实验数据进行分析，发现红光增强主要原因是存在从主体材料的缺陷态到Eu3+离子的能量转移。