本文在调研硅电池制备工艺的基础上,根据GaSb电池制备的特殊工艺,如气相扩散和去除杂质的重掺杂区域等,给出了详细完整的GaSb电池制备流程。P-N结是PV电池的核心结构,所以P-N结的制备是PV电池制备中最重要和最基本的工艺。为形成P-N结,作者采用气相“准密封”法实现II族元素Zn通过向掺杂了VI族元素Te的N-GaSb内的扩散。为此,作者设计了扩散实验系统,包括准密封箱、气路系统、加热系统等子系统。作者对Zn向N-GaSb内的扩散过程进行了实验研究和分析。扩散实验中,使用纯Zn和纯Sb作为扩散源。对扩散后的样品进行二次离子质谱分析,得出了不同扩散时间和扩散温度下的杂质Zn扩散曲线,着重研究了扩散源Zn用量对二次离子质谱测量(SIMS)以及Zn扩散曲线的影响。经分析发现,扩散源Zn用量对SIMS分析和实验结果有很大影响,改变Zn用量后得到了较为理想的Zn扩散曲线所对应的工况。计算了不同Zn扩散曲线对应的内量子效率,计算结果表明,扩散实验得到的晶片经精确刻蚀后内量子效率可提高至70%。