随着太阳能光伏技术、平面显示、气敏传感器、特殊功能窗口涂层以及各种电子器件领域的研究发展,透明导电氧化物（TCO）薄膜在半导体材料中占据着越来越重要的地位。目前实际生产中,锡掺杂氧化铟（ITO）薄膜是研究应用最为广泛与成熟的,但由于铟在自然界中储量少,成本高昂,在氢等离子体中稳定性较差,从而大大限制了其发展潜力。氧化锌具有宽禁带、高的激子束缚能以及对光的选择性等特性,且在自然界资源丰富、生产成本低廉、没有毒性、在氢等离子体中稳定性好、沉积温度低,有望成为ITO薄膜最为理想的替代材料。本文在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法分别制备出Ga单元素掺杂ZnO薄膜和Al、Ga共掺杂的ZnO薄膜,研宄了掺杂组分、热处理温度、溶胶浓度、薄膜厚度等实验工艺参数对掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学以及电学特性的影响。通过测试电阻率和光学透过率作为评价薄膜光电性能的指标,进而确定了薄膜制备的最优实验工艺参数。主要研究内容以及结果如下:（1）采用溶胶-凝胶法制备Ga掺杂ZnO薄膜,研究了不同Ga掺杂含量和退火温度对所制备薄膜结构和性能的影响,通过比较不同实验工艺参数对薄膜的光学透过率和电阻率的影响规律,讨论了薄膜光电性能变化的机理。通过比较薄膜的性能指数,确定了最佳工艺参数。制备的薄膜在Ga掺杂含量为4at.%、退火温度为500℃时表现出最佳的综合光电性能。最佳工艺条件下GZO薄膜在可见光区的平均透过率为98.7%,电阻率为4.296×10-3Ω·cm。（2）采用溶胶-凝胶法制备Al、Ga共掺杂ZnO薄膜,研究了不同溶胶浓度、退火温度和薄膜厚度对所制备薄膜结构和性能的影响,通过比较不同实验工艺参数对薄膜的光学透过率和电阻率的影响规律,讨论了薄膜光电性能变化的机理。通过比较薄膜的性能指数,确定了最佳工艺参数。制备的薄膜在溶胶浓度为0.3mol/L、薄膜厚度为10层、退火温度为500℃时表现出最佳的综合光电性能。最佳工艺条件下GAZO薄膜在可见光区的平均透过率为98.5%,电阻率为7.0×10-3Ω·cm。