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GaN是制备光电器件(如LED﹑LD)的理想材料。目前,GaN基LED通常采用Ni/Au作为p-GaN接触电极,但当Ni/Au太厚,其透光率低,大大降低了LED发光效率;太薄则影响电流的均匀扩散和热稳定性。因此,如何在p-GaN上获得低阻和高透光率的欧姆接触,从而提高LED发光效率,一直是众多研究者关注的焦点问题之一。为提高LED的发光效率,除了在封装结构、光学设计等方面的工作外,方法之一是采用透明导电膜来代替金属作为p-GaN上的接触电极,以实现电流的均匀扩散及高透光率,从而获得更高的光输出。为此