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ZnO薄膜是优质的光电半导体材料，它具有宽带隙、介电常数低、机电耦合系数大、温度稳定性好、透光率高和化学稳定性高等特性。最近，采用磁性离子注入技术，又发现ZnO半导体在室温下具有铁磁有序性。因此，ZnO半导体成为目前最有应用潜力的新型功能材料之一。探索制备成本低、成膜质量好，并且工艺简单的成膜技术，对推动ZnO薄膜的应用具有十分重要的意义。 本文采用三种制备工艺，在硅片和玻璃基片上成功地制备出具有稀磁特性的过渡金属（Fe、Co）掺杂的ZnO薄膜。 首先采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）工艺，以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，乙醇胺为稳定剂，获得了均匀、透明的多晶ZnO薄膜。通过采用不同的退火方式，得到最佳的退火工艺参数。并以此工艺为基础，制备出具有稀磁特性的Zn1-xFexO（x=0.01、0.02、0.03）薄膜。 为了进一步摸索更有效的制备方法，我们尝试使用了PVA这种可溶性高分子聚合物，用于制备溶胶。探索出了一整套有效的制备方法，成功的制备了Zn1-xCoxO（x=0.08、0.12、0.18）薄膜。采用该方法制备的样品价态准确，组分精确。利用X射线衍射谱（XRD），原子力显微镜（AFM）和荧光光谱仪（PL）以及电子能谱仪（XPS）等分析方法对样品结构和性能进行了研究。结果显示，所制备的薄膜为六方纤锌矿型结构，具有高度的C轴择优取向性；膜表面均匀、致密，同时发现Co掺杂系列具有良好的发光特性。并且，在室温下测出Zn1-xCoxO薄膜具有稀磁特性。 最后我们利用电子束蒸发镀膜仪，采用锌膜氧化法制备出具有完备的纤锌矿结构的ZnO薄膜。 本文的特色在于，采用了全新的PVA方法实现了溶胶-凝胶工艺过程，精确地控制了掺杂的价态和组分，获得了成膜质量和性能都比较好的样品。这对于ZnO制备工艺的探讨具有积极的意义。并且，在实验中发现，不仅XRD谱线的峰位，随着样品掺杂含量的变化，出现规律性的移动。而且在Co掺杂的发光系列样品中，发光峰也随着掺杂含量的变化，出现了规律性的红移现象。