目前的Spice软件可以模拟Si器件及其电路,然而在功能强大的Spice软件中尚没有应变Si/SiGe MOS器件的模型,因此,不能进行应变Si/SiGe MOS器件及其电路模拟,因而迫切需要建立基于Spice的应变Si/SiGe MOS器件模型。本论文理论性强,工作量大,主要研究工作有以下几个方面:(1)基于Spice仿真软件中体硅MOS1模型的等效电路模型,建立了应变硅表面沟道N/P MOSFET和应变SiGe调制掺杂量子阱沟道PMOSFET的等效电路模型。(2)基于器件的物理机制,在假定沿沟道方向的电势分布与距离成平方关系的前提下,将二维泊松方程简化为一维泊松方程,建立了长沟道应变硅表面沟道N/P MOSFET和应变SiGe调制掺杂量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型。(3)采用多项式拟合的方法,从器件物理出发,得到了应变Si/SiGe MOSFET反型层载流子迁移率的低场增强因子模型,载流子迁移率低场增强因子模型的建立使得应变硅表面沟道N/P MOSFET和应变SiGe调制掺杂量子阱沟道PMOSFET的迁移率可以直接使用Spice软件中硅MOSFET的迁移率模型。(4)基于所建立的阈值电压和有效迁移率模型,建立了应变Si/SiGe N/PMOSFET的电流-电压模型;根据应变SiGe量子阱沟道PMOSFET器件冒层结构的特征,充分考虑了表面硅帽层的电流影响,建立了较完整的电流-电压模型。(5)基于所建立的应变Si/SiGe MOSFET的电流-电压模型,推导出了应变Si/SiGe N/MOSFET和应变SiGe调制掺杂量子阱沟道的跨导和漏导参数模型。由于国内实验条件的限制,本论文所建基于Spice的应变Si/SiGe模型未能进行实验验证,这有待今后进一步分析验证。