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半导体纳米晶具有量子尺寸效应和独特的光学性质,可广泛地应用在光电器件、生物标记、太阳能电池、光催化等方面。这使半导体纳米晶成为越来越多研究者研究的热点。在过去三十年里,II-VI族纳米晶是这些半导体纳米晶中研究最深入、最广泛的材料。然而,II-VI族纳米晶大多含有对环境有害的高毒性元素（Cd、Hg等）,因此限制了其大规模、商业化生产。InP纳米晶具有和II-VI族纳米晶相似的光学性质,不含Cd、Pb、Hg等重金属,具有环保低毒的优点,成为代替II-VI族纳米晶的最佳候选材料。合成InP纳米晶最常用的磷源为三（三甲基硅烷基）-膦（P（SiMe3）3）,但这种磷源价格昂贵、性质活泼安全性较差。新型磷源三（二甲胺基）膦或者三（二乙胺基）膦（P[N（CH3）2]3或P[N（CH3CH2）2]3）具有安全、经济的特点,可代替P（SiMe3）3。直接合成的In P纳米晶发射范围有限,掺杂可以扩宽材料的发射范围。在ZnSe材料中掺杂Ag离子比掺杂Cu离子具有更好的稳定性,所以我们在InP纳米晶中掺杂Ag离子从而扩宽其发射范围。本文第二章使用安全、经济的新型磷前体P[N（CH3）2]3,采用高温热注入法合成了InP纳米晶,并系统研究了油胺（OLA）浓度的变化、反应的阴阳前体比等反应参数对InP纳米晶合成的影响。另外,通过逐步升温的方法调节反应的温度最终得到不同发射、尺寸分布较为均一的In P纳米晶,从而实现了InP纳米晶的尺寸从1.8 nm到4.2 nm连续可调。本文第三章采用生长掺杂的方法,在InP纳米晶中掺入Ag离子成功合成了Ag:InP纳米晶,实现了InP纳米晶发射范围的扩大。另外,本章还研究了掺杂浓度和掺杂温度对Ag:InP纳米晶的荧光量子效率的影响。随着Ag掺杂浓度和掺杂温度的增加,Ag:InP纳米晶的荧光量子效率都呈现先增加后减小的趋势。当Ag离子的掺杂浓度为5%,掺杂温度为160℃时,光致发光性质最优,其荧光效率可达到8%。通过调节In P纳米晶的尺寸,实现了Ag:InP纳米晶的发射范围从640 nm到1000 nm可调。为了提高Ag:InP纳米晶荧光量子效率及稳定性,在Ag:InP纳米晶表面包覆ZnS壳层。通过在Ag:In P纳米晶表面包覆ZnS壳层,Ag:InP纳米晶的荧光量子效率从原来的8%提高到45%,其稳定性也明显提高,这使Ag:InP/ZnS纳米晶在医学成像、生物标记等方面具有更广泛的应用。