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阳极氧化铝（AAO）模板-电化学沉积法制备的一维纳米结构阵列直径均一,操作简单,通过改变沉积电压及沉积时间即可达到一维纳米材料成分调控和结构调控的目的,成为制备一维纳米材料的主要方法。本论文通过二次阳极氧化法制备了可直接用于电化学沉积一维纳米材料的双通AAO模板。使用自制的双通AAO模板,结合电化学工作站的三电极沉积体系制备了Bi-Te系列半导体纳米线阵列,并对半导体纳米线阵列的物相、形貌以及半导体特性和红外性能进行了深入的研究。包含以下主要工作:1.本论文发明了一种制备双通AAO模板的方法,通过将喷涂金层的铝片与铝箔贴合进行塑封,由铝箔为双通AAO模板提供良好的力学支撑和电学接触,所制备的双通AAO模板结构直接附带有工作电极可应用于电沉积纳米线技术上。该发明解决了双通AAO模板易碎的问题,且显著提高了双通AAO模板沉积的均匀性和稳定性;2.本论文通过对电化学抛光,二次氧化时间以及磷酸溶液扩孔时间的研究,制备了孔洞均匀分布,孔径大小和孔深可调节的双通AAO模板,制备的双通AAO模板孔径的可调节范围为50nm-80nm,孔深的可调节范围为10μm-60μm;3.本论文通过电化学工作站的三电极体系合成了不同比例的BixTe（1-x）半导体纳米线阵列,并完成了不同沉积时间和不同AAO模板厚度的Bi-Te半导体纳米线阵列的沉积;4.本论文通过除膜液溶解双通AAO模板的研究表明,通过控制除膜液溶模板的时间,可以获得具有不同形貌的Bi-Te半导体纳米线阵列;5.本论文对所制备的Bi-Te系列半导体纳米线阵列的半导体类型以及红外性能进行了测试和仿真。红外性能测试和仿真结果都表明,可通过控制半导体纳米线阵列的形貌结构,得到了性能优秀的红外吸收结构。对于一维纳米材料结构在红外波段的研究具有一定的指导意义。