免标记的电化学免疫传感器的制备

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本论文主要研究工作如下:1.研制了一种基于介孔二氧化硅负载纳米金和单抗的免标记电化学免疫传感器,用于检测甲胎蛋白(AFP)的含量。先用三甲基氯硅烷(TMCS)封闭介孔二氧化硅(MPS)前驱体外壁硅羟基的活性,再与氨基丙基三乙氧基硅烷(APTS)反应,在孔道内壁接枝氨基,得到修饰的的介孔硅材料(TMCS-MPS)。将金纳米粒子(GNPs)和甲胎蛋白单克隆抗体(anti-AFP)通过与TMCS-MPS孔内的氨基共价结合到介孔孔道内,制得免标记免疫探针(anti-AFP/GNPs/TMCS-MPS)。将免疫探针修饰在玻碳电极(GCE)表面,制得免标记电化学免疫传感器。将免疫传感器与含有AFP样品的溶液温育后,在GCE表面形成抗原/抗体免疫复合物,增加了电极表面的空间位阻,导致响应电流降低。由于TMCS-MPS孔内GNPs的存在,提高了电子在孔道的传递效率。在优化的实验条件下,该免疫传感器对AFP的检测线性范围为1.0-90ngmL-1,检出限为0.2ngmL-1(3σ)。2.提出了一种高灵敏的免标记电化学免疫传感器,用于甲胎蛋白的检测。首先将碳纳米管(CNT)进行酸处理,缩短管长同时修饰羧基官能团,然后将CNTs和anti-AFP依次装入用修饰的MPS(TMCS-MPS)孔道内,得到测定AFP的免标记免疫探针anti-AFP/CNTs/TMCS-MPS。将片层石墨烯(GS)和免疫探针层层组装在GCE电极表面,制得高灵敏度的免标记电化学免疫传感器。当该免疫传感器与含有AFP抗原的样品温育后,在GCE表面的介孔内形成不导电的免疫复合物,增加了空间位阻和阻抗,阻碍了电子的转移,因此响应电流随着抗原浓度的增加而逐渐降低。由于介孔内CNTs以及底部GS的存在,显著提高了电子通过电极表面的传递效率。该免疫传感器对AFP的检测线性范围为0.1-100ngmL-1,检出限为0.06ngmL-1(3σ)。3.研制了一种可同时检测癌胚抗原(CEA)和AFP二种组分的免标记电化学免疫传感器。将CEA单克隆抗体和二茂铁甲酸(FCA)负载于修饰的介孔硅(TMCS-MPS)的孔内,制得测定CEA的免标记探针。将AFP单克隆抗体和辣根过氧化物酶(HRP)固定到TMCS-MPS的孔内,并使用邻苯二胺(OPD)和H2O2作为相应的电化学底物,制得测定AFP的免标记探针。然后,在掺铟氧化锡(ITO)电极表面的不同区域分别涂覆CEA和AFP的免标记探针,得到双组分免疫传感器。当该免疫传感器在含有CEA和AFP抗原的混合液中温育后,CEA和AFP抗原会通过各自的特异性反应与介孔内固定的相应单抗发生免疫结合。根据电极表面不同位置上的免疫复合物对电子转移和响应电流的阻碍,实现对CEA和AFP的同时测定。本方法对CEA和AFP的检测线性范围分别为0.5-45ngmL-1和1.0-90ngmL-1,检测限分别为0.2ngmL-1和0.5ngmL-1(S/N=3)。4.在TMCS-MPS孔道内组装硫化镉量子点(CdSQDs)并用于修饰GCE电极,制备了一种免标记电致化学发光(ECL)免疫传感器,并用于肿瘤标志物的检测。通过使用TMCS-MPS,使得CdSQDs的结合被限制在MPS的孔内,制得介孔内负载CdSQDs的复合材料(CdS/TMCS-MPS)。本文以AFP为检测对象,将anti-AFP也同时固定在CdS/TMCS-MPS内,制得anti-AFP/CdS/TMCS-MPS免疫探针,再用聚氯化二烯丙基二甲铵(PDDA)将其修饰在GCE表面,得到免标记的ECL免疫传感器。当含有AFP抗原的样品与anti-AFP/CdS/TMCS-MPS/PDDA/GCE温育后,在传感器表面形成免疫复合物,增加空间位阻,致使光强随着抗原浓度的增加而逐渐降低。在最佳实验条件下,本方法对AFP的检测线性范围为0.5-100ngmL-1,检出限为0.39ngmL-1(3σ)。
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