随着我国经济社会不断向前发展,人类对于清洁能源的需求在急剧攀升,每天所需要消耗的清洁能源数量也正在不断地增加。自2009年以来,卤化物钙钛矿作为一种新型的半导体材料,已经成为了热门的研究话题。钙钛矿太阳能电池基于ABX3材料的基础上作为电池的吸光层,具有直接可调带隙,高的电子、空穴迁移率,较强的光吸收系数,高缺陷容忍以及低载流子非辐射复合。除此之外,商业上可以实现卷对卷印刷制造。近些年来,研究者通过对于钙钛矿电池机理的研究,希望能够在这一领域有所突破。通过前期大量的实验表明,电池界面层的钝化作用不仅能够提高电池的效率,还能改善电池的迟滞现象。SnO2作为一种常用的电子传输层材料,电子迁移率高、可室温条件下制备、与钙钛矿的能级较为匹配。但是通过实验结果可知,这种电子传输层材料也有自身的不足之处,SnO2体内存在着氧空位缺陷以及其薄膜表面存在着大量的羟基,因为使得该体系下的钙钛矿太阳能电池的效率受到限制,并且存在I-V曲线的迟滞现象。针对这两个关键的问题,本文通过大量的实验有针对性地对SnO2进行了体内和体外的缺陷钝化与调控,主要是通过两个钝化途径进行深入研究:首先,由于SnO2体内存在着氧空位缺陷,本文通过引入适量浓度的乙二胺四乙酸（EDTA）,成功地实现了对SnO2体内氧空位缺陷的钝化,本实验最高效率为18.59%。其次,本文还通过在已经制备好的SnO2薄膜表面修饰一层富勒烯衍生物(C60-SAM),进而改善了器件的迟滞现象。修饰后的富勒烯衍生物能够与SnO2表面的羟基进行中和作用,从而减少了表面羟基的数量,提高了载流子的抽取能力以及钙钛矿薄膜的成膜质量,最终器件的迟滞改善原因主要得益于C60-SAM修饰后电池的填充因子的提高。对于该体系下的钙钛矿电池而言,富勒烯衍生物的最佳修饰浓度为1 mg/m L,电池的迟滞因子（HI）最低为0.058。最终本文还将EDTA与C60-SAM共同作用到SnO2中,实现了效率提升与迟滞因子的进一步降低,最终的效率接近19%,迟滞因子为0.028。综上所述,本论文从SnO2电子传输层的缺陷钝化与调控这一方面对钙钛矿太阳能电池做出了一定的改善,为钙钛矿太阳能电池的缺陷钝化提供实验指导。